|
Вопросы по технологиям изготовления ИС, дабы не плодить темы |
|
|
3 страниц
1 2 3 >
|
 |
Ответов
(1 - 33)
|
Nov 1 2010, 02:53
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036

|
Цитата(BarsMonster @ Oct 30 2010, 19:57)  1) Почему когда выполняют ионную имплантацию/травление наращивают SiO2 специально для маскирования ненужных областей? Неужели слой фоторезиста плохо защищает, даже если его толщина в 2-3 раза больше SiO2?
2) Где и что можно почитать по оптике используемой в (иммерсионной) фотолитографии и high-NA? 1) Окисел как правило не наращивают специально, он получается достаточно толстый например при разгонке кармана. А дальше просто вскрывают активные области под транзисторы и этот окисел автоматически становится естественной маской.
|
|
|
|
|
Nov 9 2010, 07:19
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036

|
Цитата(BarsMonster @ Nov 8 2010, 19:12)  3) В установках плазменного травления/легирования - там по одной установке на каждое рабочее вещество, или одна установка на все? Что тогда делают с остатками веществ с прошлых операций - они ведь наверняка "налипают" на стенки... Действительно налипают и потом осыпаются на пластины в виде грязи создают дополнительные дефекты) Но стараются чистить или пластину переворачивают, вобщем я слышал много баек на эту тему) может кто что конкретное расскажет, самому интересно)
|
|
|
|
|
Nov 15 2010, 02:25
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036

|
Цитата(BarsMonster @ Nov 14 2010, 01:47)  4) Есть ли софт попроще TCAD-а для моделирования одного транзистора, чтобы можно было нарисовать например его в разрезе и посмотреть как что работает (посроить ВАХ там, графики напряженности поля и т.д), точность - плюс/минус лопата устроит, гдавное чтобы можно было основательно со всем разобраться... MicroTec. Можно 3D, 2D и 1D профили посмотреть, и ВАХ посчитать.
|
|
|
|
|
Nov 16 2010, 03:23
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036

|
Цитата(zzzzzzzz @ Nov 15 2010, 14:56)  Есть доступный и здоровый от предрассудков дистриб где-то? Интересно было бы покрутить. У меня где то валяется старая версия, но она года 94 выпуска =) версия 3.10 чтоли. Сейчас вроде есть 4.х версия но она помоему мало чем отличается )) могу куда нибудь залить если найду
|
|
|
|
|
Nov 18 2010, 04:02
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036

|
Цитата(BarsMonster @ Nov 18 2010, 04:08)  6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем". Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-) Могу предположить что дело в конформности. Для алюминия уже все отлажено многолетним опытом проб и ошибок))
|
|
|
|
|
Nov 18 2010, 08:08
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 96
Регистрация: 11-01-10
Из: Moscow
Пользователь №: 54 725

|
Цитата(KriegerNsk @ Nov 18 2010, 08:02)  Могу предположить что дело в конформности. Для алюминия уже все отлажено многолетним опытом проб и ошибок)) Извиняюсь, а что такое конформность в данном контексте?
|
|
|
|
|
Nov 18 2010, 08:59
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036

|
Цитата(aht @ Nov 18 2010, 14:08)  Извиняюсь, а что такое конформность в данном контексте? конформность отражает качество заполнения канавок и ступенек, в данном случае металлом. Алюминий напылять проще чем золото при этом обеспечивается хорошее заполнение зазоров.
|
|
|
|
|
Dec 7 2010, 19:55
|

Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849

|
Цитата(BarsMonster @ Nov 18 2010, 01:08)  6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем". Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-) Постепенно вопрос проясняется: золото с кремнием образует противные интерметаллические соединения уже при 300C, да и травить тяжко :-) серебро - как и медь опасный источник загрязнений в кремнии, не держиться за SiO2. Но в отличии от меди возможно плазменное травление в CF4. 7) Неужели RC константа такое влияние на производительность оказывает? Как затворы из поликремния - так никто нос не воротил, несмотря на сопротивление. А тут лишние пара микро/миллиомм (по сравнению с алюминием) и уже трагедия :-) По электромиграции - да, бесспорный выигрыш есть.
--------------------
|
|
|
|
|
Dec 15 2010, 17:42
|

Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849

|
8) Какие вообще подзатворные диэлектрики используются, кроме SiO2? А то уж больно муторно его выращивать... Цитата(KriegerNsk @ Nov 15 2010, 08:25)  MicroTec. Можно 3D, 2D и 1D профили посмотреть, и ВАХ посчитать. Очень долго бился головой об гугол, но так и не нашел рабочую версию :-(
--------------------
|
|
|
|
|
Dec 17 2010, 04:49
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 96
Регистрация: 11-01-10
Из: Moscow
Пользователь №: 54 725

|
Цитата(BarsMonster @ Dec 16 2010, 20:54)  9) Кто может провести платный урок по workflow разработки ИС в Москве? :-)
Хочу чтобы показали следующий процесс: Берем простейшее устройство в VHDL (например a=a+45 по тактовому сигналу, а на выход), и доводим его до масок на самом популярном наборе софта.
По идее тут не слишком долго должно быть. Безусловно можно разобраться самостоятельно, но иногда лучше 1 раз увидеть :-) На самом популярном - это, наверное, Synopsys. В России их представляет Alt-S (alt-s.ru). Насчёт Cadence не знаю, вроде бы у них сейчас нет поддержки в России.
|
|
|
|
|
Jan 14 2011, 07:03
|
Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 398
Регистрация: 30-12-09
Из: Москва, Зеленоград
Пользователь №: 54 579

|
Цитата(BarsMonster @ Nov 18 2010, 04:08)  6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем". Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-) А книга на паблике есть?
--------------------
|
|
|
|
|
Feb 1 2011, 17:55
|
Местный
  
Группа: Участник
Сообщений: 257
Регистрация: 10-06-06
Из: Ставрополь
Пользователь №: 17 955

|
Цитата(BarsMonster @ Oct 30 2010, 16:57)  2) Где и что можно почитать по оптике используемой в (иммерсионной) фотолитографии и high-NA? Как человеку имевшему в конце 80-х некоторое отношение к теме - тоже очень интересно, как и вообще описание всей современной технологической цепочки в компактном виде (можно на английском)
Сообщение отредактировал sherr - Feb 1 2011, 17:56
|
|
|
|
|
Feb 6 2011, 00:15
|

Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849

|
Цитата(sherr @ Feb 1 2011, 20:55)  Как человеку имевшему в конце 80-х некоторое отношение к теме - тоже очень интересно, как и вообще описание всей современной технологической цепочки в компактном виде (можно на английском) На edaboard послали в ieee. Там же затронута чертовски интересная тема о том, как именно плохеет транзисторам в присутствии загрязнений, вот если бы книгу по этому найти....
--------------------
|
|
|
|
|
Feb 6 2011, 20:46
|

unexpected token
   
Группа: Свой
Сообщений: 899
Регистрация: 31-08-06
Из: Мехелен, Брюссель
Пользователь №: 19 987

|
Цитата(BarsMonster @ Nov 26 2010, 04:23)  7) А наносят ли диэлектрики испарением в вакууме? Температура кипения диэлектриков при околонулевом давлении хоть и выше используемых металлов (Al ~600, Ag/Au ~1000), но не выглядит фатальной (~1700C для SiO2)... Понятно что какие-нибуть 10-20нм равно проще и надежнее вырастить из кремния, а вот 0.1-1um.... Наносят и испарением в вакууме. Я частенько пользуюсь "тупым" термически распыленным SiOx, но исключительно для изоляции сигналов. Для подзатворных диэлектриков в современных СБИС давно не используют SiO2, а ростят посредством ALD-метода диэлектрики с высокой эпсилон, типа Al2O3, HfO2, Gd2O3 и др... Вообще ваши вопросы выглядят мягко говоря странными. Настоятельно рекомендую к прочтению S.M. Sze "Physics of semiconductor devices" 3ed, 2007, есть на gigapedia.org. Второе издание этой книги (в двух томах) издавалось в СССР и есть на русском языке. Цитата(BarsMonster @ Dec 15 2010, 21:42)  8) Какие вообще подзатворные диэлектрики используются, кроме SiO2? А то уж больно муторно его выращивать... Al2O3, HfO2 и другие. У нас, к примеру был экспериментальный реактор для извращений типа оксид скандия. Работало хорошо, но все high-k диэлектрики очень нежные, не все выживают processing.
--------------------
А у тебя SQUID, и значит, мы умрем.
|
|
|
|
|
Feb 6 2011, 20:52
|

Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849

|
Цитата(alexunder @ Feb 6 2011, 23:46)  Al2O3, HfO2 и другие. У нас, к примеру был экспериментальный реактор для извращений типа оксид скандия. Работало хорошо, но все high-k диэлектрики очень нежные, не все выживают processing. У нас - это где если не секрет? :-) Книгу поищу, спасибо.
--------------------
|
|
|
|
|
Feb 6 2011, 21:01
|

unexpected token
   
Группа: Свой
Сообщений: 899
Регистрация: 31-08-06
Из: Мехелен, Брюссель
Пользователь №: 19 987

|
Цитата(BarsMonster @ Feb 7 2011, 00:52)  У нас - это где если не секрет? :-) www.imec.be Цитата(BarsMonster @ Feb 7 2011, 00:52)  Книгу поищу, спасибо. зарегестрируйтесь на gigapedia.org - это бесплатно, а литературы там по физике пп-приборов, микроэлектронике/технологиям и физике твердого тела море! Причем постоянно новье выкладывают толковые парни.
--------------------
А у тебя SQUID, и значит, мы умрем.
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|