реклама на сайте
подробности

 
 
> Вопросы по технологиям изготовления ИС, дабы не плодить темы
BarsMonster
сообщение Oct 30 2010, 12:57
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Решил создать это тему для всех вопросов, а то так я темами весь форум заполню :-)

Очередные вопросы (сквозная нумерация, чтобы не путаться кто на что отвечает):

1) Почему когда выполняют ионную имплантацию/травление наращивают SiO2 специально для маскирования ненужных областей?
Неужели слой фоторезиста плохо защищает, даже если его толщина в 2-3 раза больше SiO2?

2) Где и что можно почитать по оптике используемой в (иммерсионной) фотолитографии и high-NA?

Сообщение отредактировал BarsMonster - Oct 30 2010, 13:47


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
3 страниц V   1 2 3 >  
Start new topic
Ответов (1 - 33)
KriegerNsk
сообщение Nov 1 2010, 02:53
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036



Цитата(BarsMonster @ Oct 30 2010, 19:57) *
1) Почему когда выполняют ионную имплантацию/травление наращивают SiO2 специально для маскирования ненужных областей?
Неужели слой фоторезиста плохо защищает, даже если его толщина в 2-3 раза больше SiO2?

2) Где и что можно почитать по оптике используемой в (иммерсионной) фотолитографии и high-NA?




1) Окисел как правило не наращивают специально, он получается достаточно толстый например при разгонке кармана. А дальше просто вскрывают активные области под транзисторы и этот окисел автоматически становится естественной маской.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Nov 8 2010, 13:12
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



3) В установках плазменного травления/легирования - там по одной установке на каждое рабочее вещество, или одна установка на все? Что тогда делают с остатками веществ с прошлых операций - они ведь наверняка "налипают" на стенки...


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
KriegerNsk
сообщение Nov 9 2010, 07:19
Сообщение #4


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036



Цитата(BarsMonster @ Nov 8 2010, 19:12) *
3) В установках плазменного травления/легирования - там по одной установке на каждое рабочее вещество, или одна установка на все? Что тогда делают с остатками веществ с прошлых операций - они ведь наверняка "налипают" на стенки...


Действительно налипают и потом осыпаются на пластины в виде грязи создают дополнительные дефекты) Но стараются чистить или пластину переворачивают, вобщем я слышал много баек на эту тему) может кто что конкретное расскажет, самому интересно)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Nov 9 2010, 17:29
Сообщение #5


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Цитата(KriegerNsk @ Nov 9 2010, 10:19) *
Действительно налипают и потом осыпаются


Так оно не только осыпаться должно, а во время следующей операции новые ионы будут выбивать старые атомы из стенок = загрязнение плазмы...


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Nov 13 2010, 19:47
Сообщение #6


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



4) Есть ли софт попроще TCAD-а для моделирования одного транзистора, чтобы можно было нарисовать например его в разрезе и посмотреть как что работает (посроить ВАХ там, графики напряженности поля и т.д), точность - плюс/минус лопата устроит, гдавное чтобы можно было основательно со всем разобраться...


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
KriegerNsk
сообщение Nov 15 2010, 02:25
Сообщение #7


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036



Цитата(BarsMonster @ Nov 14 2010, 01:47) *
4) Есть ли софт попроще TCAD-а для моделирования одного транзистора, чтобы можно было нарисовать например его в разрезе и посмотреть как что работает (посроить ВАХ там, графики напряженности поля и т.д), точность - плюс/минус лопата устроит, гдавное чтобы можно было основательно со всем разобраться...



MicroTec. Можно 3D, 2D и 1D профили посмотреть, и ВАХ посчитать.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zzzzzzzz
сообщение Nov 15 2010, 08:56
Сообщение #8


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Цитата(KriegerNsk @ Nov 15 2010, 05:25) *
MicroTec. Можно 3D, 2D и 1D профили посмотреть, и ВАХ посчитать.
Есть доступный и здоровый от предрассудков дистриб где-то?
Интересно было бы покрутить.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
KriegerNsk
сообщение Nov 16 2010, 03:23
Сообщение #9


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036



Цитата(zzzzzzzz @ Nov 15 2010, 14:56) *
Есть доступный и здоровый от предрассудков дистриб где-то?
Интересно было бы покрутить.


У меня где то валяется старая версия, но она года 94 выпуска =) версия 3.10 чтоли. Сейчас вроде есть 4.х версия но она помоему мало чем отличается )) могу куда нибудь залить если найду
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zzzzzzzz
сообщение Nov 16 2010, 08:34
Сообщение #10


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Цитата(KriegerNsk @ Nov 16 2010, 06:23) *
У меня где то валяется старая версия, но она года 94 выпуска =) версия 3.10 чтоли. Сейчас вроде есть 4.х версия но она помоему мало чем отличается )) могу куда нибудь залить если найду
Жду в предвкушении.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Nov 16 2010, 13:39
Сообщение #11


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



5) Как отличается работа диодов шотки с кремнием легированным в n и p тип?


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Nov 17 2010, 22:08
Сообщение #12


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем".
Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-)


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
KriegerNsk
сообщение Nov 18 2010, 04:02
Сообщение #13


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036



Цитата(BarsMonster @ Nov 18 2010, 04:08) *
6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем".
Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-)


Могу предположить что дело в конформности. Для алюминия уже все отлажено многолетним опытом проб и ошибок))
Go to the top of the page
 
+Quote Post
aht
сообщение Nov 18 2010, 08:08
Сообщение #14


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 96
Регистрация: 11-01-10
Из: Moscow
Пользователь №: 54 725



Цитата(KriegerNsk @ Nov 18 2010, 08:02) *
Могу предположить что дело в конформности. Для алюминия уже все отлажено многолетним опытом проб и ошибок))

Извиняюсь, а что такое конформность в данном контексте?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
KriegerNsk
сообщение Nov 18 2010, 08:59
Сообщение #15


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036



Цитата(aht @ Nov 18 2010, 14:08) *
Извиняюсь, а что такое конформность в данном контексте?


конформность отражает качество заполнения канавок и ступенек, в данном случае металлом. Алюминий напылять проще чем золото при этом обеспечивается хорошее заполнение зазоров.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Nov 26 2010, 00:23
Сообщение #16


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



7) А наносят ли диэлектрики испарением в вакууме?
Температура кипения диэлектриков при околонулевом давлении хоть и выше используемых металлов (Al ~600, Ag/Au ~1000), но не выглядит фатальной (~1700C для SiO2)...
Понятно что какие-нибуть 10-20нм равно проще и надежнее вырастить из кремния, а вот 0.1-1um....


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Dec 7 2010, 19:55
Сообщение #17


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Цитата(BarsMonster @ Nov 18 2010, 01:08) *
6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем".
Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-)


Постепенно вопрос проясняется:
золото с кремнием образует противные интерметаллические соединения уже при 300C, да и травить тяжко :-)
серебро - как и медь опасный источник загрязнений в кремнии, не держиться за SiO2. Но в отличии от меди возможно плазменное травление в CF4.

7) Неужели RC константа такое влияние на производительность оказывает?
Как затворы из поликремния - так никто нос не воротил, несмотря на сопротивление.
А тут лишние пара микро/миллиомм (по сравнению с алюминием) и уже трагедия :-)

По электромиграции - да, бесспорный выигрыш есть.


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Dec 15 2010, 17:42
Сообщение #18


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



8) Какие вообще подзатворные диэлектрики используются, кроме SiO2?
А то уж больно муторно его выращивать...

Цитата(KriegerNsk @ Nov 15 2010, 08:25) *
MicroTec. Можно 3D, 2D и 1D профили посмотреть, и ВАХ посчитать.


Очень долго бился головой об гугол, но так и не нашел рабочую версию :-(


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Dec 16 2010, 14:54
Сообщение #19


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



9) Кто может провести платный урок по workflow разработки ИС в Москве? :-)

Хочу чтобы показали следующий процесс: Берем простейшее устройство в VHDL (например a=a+45 по тактовому сигналу, а на выход), и доводим его до масок на самом популярном наборе софта.

По идее тут не слишком долго должно быть. Безусловно можно разобраться самостоятельно, но иногда лучше 1 раз увидеть :-)





--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
aht
сообщение Dec 17 2010, 04:49
Сообщение #20


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 96
Регистрация: 11-01-10
Из: Moscow
Пользователь №: 54 725



Цитата(BarsMonster @ Dec 16 2010, 20:54) *
9) Кто может провести платный урок по workflow разработки ИС в Москве? :-)

Хочу чтобы показали следующий процесс: Берем простейшее устройство в VHDL (например a=a+45 по тактовому сигналу, а на выход), и доводим его до масок на самом популярном наборе софта.

По идее тут не слишком долго должно быть. Безусловно можно разобраться самостоятельно, но иногда лучше 1 раз увидеть :-)

На самом популярном - это, наверное, Synopsys. В России их представляет Alt-S (alt-s.ru).
Насчёт Cadence не знаю, вроде бы у них сейчас нет поддержки в России.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Dec 17 2010, 13:45
Сообщение #21


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Цитата(aht @ Dec 17 2010, 10:49) *
На самом популярном - это, наверное, Synopsys. В России их представляет Alt-S (alt-s.ru).
Насчёт Cadence не знаю, вроде бы у них сейчас нет поддержки в России.


Меня не официальные курсы и поддержка интересуют, а посмотреть на систему в работе с человеком, который с ней работает, чтобы было определенное представление для дальнейших раскопок.


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Losik
сообщение Dec 17 2010, 14:01
Сообщение #22


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 453
Регистрация: 22-04-07
Пользователь №: 27 235



BarsMonster могу предложить учебные материалы в духе лабораторных работ, прочитал сделал, ни чего сложного. только определитесь с софтом: synopsys or cadence?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Dec 17 2010, 14:02
Сообщение #23


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Цитата(Losik @ Dec 17 2010, 20:01) *
BarsMonster могу предложить учебные материалы в духе лабораторных работ, прочитал сделал, ни чего сложного. только определитесь с софтом: synopsys or cadence?

В таком случае буду смотреть обе, а там видно будет что лучше пойдет :-)


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Losik
сообщение Dec 17 2010, 14:53
Сообщение #24


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 453
Регистрация: 22-04-07
Пользователь №: 27 235



Для начала могу предложить книгу Digital VLSI Chip Design with Cadence and Synopsys CAD Tools. В ней более менее достоверно описан типичный маршрут проектирования с примерами. Правда не уверен, что все пойдет как по маслу. Самый сложный квест найти нужный софт(естественно все под линуксом). Cadence IC5.033 - моделирование, редактор для ручного ввода схем, редактор для рисования топологии.
Cadence soc Encounter - RTL в GDSII. Synopsys Design Compiler RTL to Gate синтез.
h__p://uploading.com/files/264252cm/DigitalVLSIChipDesign.rar/
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Dec 29 2010, 05:04
Сообщение #25


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



10) Насколько верно то, что от утоньшения техпроцесса главный бонус в смысле скорости - уменьшение длины канала транзисторов.
И например если трензистор 1um x 1um но затвор 50нм, то работать будет как в "лучших домах", и даже лучше, т.к. чем чем больше ширина перехода тем меньше RC-задержка?


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
KriegerNsk
сообщение Jan 14 2011, 05:55
Сообщение #26


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 35
Регистрация: 18-10-09
Пользователь №: 53 036



Цитата(BarsMonster @ Dec 16 2010, 02:42) *
8) Какие вообще подзатворные диэлектрики используются, кроме SiO2?
А то уж больно муторно его выращивать...



Очень долго бился головой об гугол, но так и не нашел рабочую версию :-(



http://narod.ru/disk/3426611001/MT302.rar.html
rolleyes.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
baumanets
сообщение Jan 14 2011, 07:03
Сообщение #27


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 398
Регистрация: 30-12-09
Из: Москва, Зеленоград
Пользователь №: 54 579



Цитата(BarsMonster @ Nov 18 2010, 04:08) *
6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем".
Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-)

А книга на паблике есть?


--------------------
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Jan 15 2011, 06:18
Сообщение #28


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Цитата(KriegerNsk @ Jan 14 2011, 11:55) *


Спасибо, надежно припрятал, чтобы больше не терялось )
Жаль однако что в 64-х битной винде не работает, о времена... )


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
sherr
сообщение Feb 1 2011, 17:55
Сообщение #29


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 257
Регистрация: 10-06-06
Из: Ставрополь
Пользователь №: 17 955



Цитата(BarsMonster @ Oct 30 2010, 16:57) *
2) Где и что можно почитать по оптике используемой в (иммерсионной) фотолитографии и high-NA?

Как человеку имевшему в конце 80-х некоторое отношение к теме - тоже очень интересно, как и вообще
описание всей современной технологической цепочки в компактном виде (можно на английском)

Сообщение отредактировал sherr - Feb 1 2011, 17:56
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Feb 6 2011, 00:15
Сообщение #30


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Цитата(sherr @ Feb 1 2011, 20:55) *
Как человеку имевшему в конце 80-х некоторое отношение к теме - тоже очень интересно, как и вообще
описание всей современной технологической цепочки в компактном виде (можно на английском)


На edaboard послали в ieee.
Там же затронута чертовски интересная тема о том, как именно плохеет транзисторам в присутствии загрязнений, вот если бы книгу по этому найти....


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
alexunder
сообщение Feb 6 2011, 20:46
Сообщение #31


unexpected token
****

Группа: Свой
Сообщений: 899
Регистрация: 31-08-06
Из: Мехелен, Брюссель
Пользователь №: 19 987



Цитата(BarsMonster @ Nov 26 2010, 04:23) *
7) А наносят ли диэлектрики испарением в вакууме?
Температура кипения диэлектриков при околонулевом давлении хоть и выше используемых металлов (Al ~600, Ag/Au ~1000), но не выглядит фатальной (~1700C для SiO2)...
Понятно что какие-нибуть 10-20нм равно проще и надежнее вырастить из кремния, а вот 0.1-1um....


Наносят и испарением в вакууме. Я частенько пользуюсь "тупым" термически распыленным SiOx, но исключительно для изоляции сигналов. Для подзатворных диэлектриков в современных СБИС давно не используют SiO2, а ростят посредством ALD-метода диэлектрики с высокой эпсилон, типа Al2O3, HfO2, Gd2O3 и др...

Вообще ваши вопросы выглядят мягко говоря странными. Настоятельно рекомендую к прочтению S.M. Sze "Physics of semiconductor devices" 3ed, 2007, есть на gigapedia.org. Второе издание этой книги (в двух томах) издавалось в СССР и есть на русском языке.

Цитата(BarsMonster @ Dec 15 2010, 21:42) *
8) Какие вообще подзатворные диэлектрики используются, кроме SiO2?
А то уж больно муторно его выращивать...


Al2O3, HfO2 и другие. У нас, к примеру был экспериментальный реактор для извращений типа оксид скандия. Работало хорошо, но все high-k диэлектрики очень нежные, не все выживают processing.


--------------------
А у тебя SQUID, и значит, мы умрем.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Feb 6 2011, 20:52
Сообщение #32


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



Цитата(alexunder @ Feb 6 2011, 23:46) *
Al2O3, HfO2 и другие. У нас, к примеру был экспериментальный реактор для извращений типа оксид скандия. Работало хорошо, но все high-k диэлектрики очень нежные, не все выживают processing.


У нас - это где если не секрет? :-)
Книгу поищу, спасибо.


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post
alexunder
сообщение Feb 6 2011, 21:01
Сообщение #33


unexpected token
****

Группа: Свой
Сообщений: 899
Регистрация: 31-08-06
Из: Мехелен, Брюссель
Пользователь №: 19 987



Цитата(BarsMonster @ Feb 7 2011, 00:52) *
У нас - это где если не секрет? :-)

www.imec.be

Цитата(BarsMonster @ Feb 7 2011, 00:52) *
Книгу поищу, спасибо.

зарегестрируйтесь на gigapedia.org - это бесплатно, а литературы там по физике пп-приборов, микроэлектронике/технологиям и физике твердого тела море! Причем постоянно новье выкладывают толковые парни.


--------------------
А у тебя SQUID, и значит, мы умрем.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
BarsMonster
сообщение Feb 27 2011, 12:12
Сообщение #34


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 479
Регистрация: 8-03-10
Из: Россия, Москва
Пользователь №: 55 849



9) Насколько более чуствительны к загрязнениям MOSFET-ы по сравнению с биполярными?
Слышал про ужасы от загрязнения натрием...

Все еще ищу что почитать по загрязнениям и их влиянию...


--------------------
Потроха микросхем: zeptobars.ru
Go to the top of the page
 
+Quote Post

3 страниц V   1 2 3 >
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 19th July 2025 - 16:07
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01697 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016