нашел схему усилителя но не могу ее понять Опции

[mmc]

схема под буквой d . я так понимаю сам усилитель это каскод М1 М2, а М4 - ПОС, М3 - ООС, Mbias- какой то согласующий. правильно?
могли бы пояснить как она должна работать по каждому транзистору? режим работы, какие токи

Эскизы прикрепленных изображений

 

[yuri_d]

На картинке английским языком написано, что схема "d" есть реализация схемы "b".

Картинку Вы скорее всего взяли из этого документа: http://www.jstage.jst.go.jp/article/elex/7/11/7_759/_article
Так почему бы его просто не прочитать?

[mmc]

статью я прочитал, но не совсем понятно как считается эта штучка(в силу не большой компетентности), может кто подскажет пример, или просто подскажет как эта штука считается, чтоб прям понять какие параметры как выбираются? токи стока. кое что из этого есть в статье, но для меня не совсем понятно

[Дмитрий_Б]

А смысл?
Это можно реализовывать только на одном кристалле. Приведены геометрические соотношения для топологии транзисторов...

[mmc]

так всё совсем наоборот наоборот, есть смысл научиться это делать)

[Losik]

Чтобы схема просто заработала, нужно задать напряжение смещения для транзисторов Mbias, M2 и подобрать сопротивление резистора Rl. Mbias проще всего смещать схемой токового зеркала(объяснять надо?). Ток через него должен быть больше, чем через транзистор M4. Минимальное напряжение на затворе транзистора M2 2Vth(объяснять надо?) относительно земли, в данном случае можно выбрать 2Vth+0.4B.
Размеры транзисторов:
1. Mbias: L=min(3*Lmin) W=min(10*L)
2. M1: L=3*Lmin W=200*Lmin
3. M2: L=Lmin W=200*Lmin
4. M3: L=Lmin W=200*Lmin
5. M4: L=Lmin W=Wmin (можно совсем убрать)
Напряжение на выходе должно быть больше, чем 2Vth+0.2B, с учетом выбранных параметров у транзисторов выбираем соответствующее значение резистора, или наоборот с учетом выбора R, подбираем размеры у транзистора M1.

[mmc]

воспользовался рекомендациями, моделирование показало, что полоса усиления совсем не 3.5 ГГц а всего 1МГц начиная с 0 . в чем проблема может быть?

[Losik]

нужен хотя-бы скриншот вашей схемы.

[mmc]

схема один в один с приведенной на рисунке под буквой Д. в качестве цепей смещения использовал источники постоянного напряжения, чтоб обеспечить открытие транзисторов Мбиас и М2

[Losik]

>>обеспечить открытие транзисторов Мбиас,
ну открыли вы его, а какой ток через него течет?

[mmc]

сделал зеркала для смещения, получил 20дБ полоса расширилась до нескольких сотен МГц. но при моделировании у меня получилось что через М3 и М4 почти отсутствует ток. Если у нас через М2 М1 текут сотни мкА, через М3 и М4 должны течь десятки и единицы мкА?

[mmc]

решил вернуться к этой схемке) вот вопросик сходу появился, на какую нагрузку в таком виде этот усилитель должен работать?

[mmc]

или лучше спросить по другому, как это дело согласовывать на 50 Ом(то есть в голом виде эта штука должна работать на какую то нагрузку оч большую)? чуть позже напишу что получилось при моделировании в малосигнальном режиме, приложу картинки.
И еще вопрос сразу) при моделировании в Spectre можно ли какой то стандартной функцией вычислить коэффициент шума на данной частоте? или это функции какой нить spectreRF?

Сообщение отредактировал mmc - Apr 18 2012, 01:30