Нелинейная модель транзистора Опции

[loreley]

Для проектирования усилителя мощности нужна нелинейная схема HEMT транзистора. Производитель дает только S-параметры на малом сигнале. Каким образом можно составить нелинейную модель транзистора, имея только S-параметры и эквивалентную схему на малом сигнале?
На сколько я понял, один из способов - измерить расширенные параметры рассеяния, т.е. X-параметры при помощи нелинейного VNA от Agilent , а затем уже например в ADS получить нелинейную модель. Но если такого прибора нет, то как быть в этом случае?
Спасибо.

[rloc]

S-параметры по определению описывают линейные системы. Соответственно получить нелинейные параметры из линейных невозможно. В ADS X-параметры используются напрямую, без конвертации в нелинейную модель. Между прочим они и были придуманы, чтобы работать на больших мощностях с любыми элементами, как с черными ящиками, тем более когда аналитической модели для какого-либо элемента еще не придумали.

[nik_us]

На сколько я понял, один из способов - измерить расширенные параметры рассеяния, т.е. X-параметры при помощи нелинейного VNA от Agilent , а затем уже например в ADS получить нелинейную модель. Но если такого прибора нет, то как быть в этом случае?
Спасибо.

Если интересен только основной тон, то можете попробовать обмерять транзистор на векторном анализаторе при различных уровнях мощности входного сигнала, а затем сохранить в виде многомероного массива данных (mdif-файла, например) для использования в САПР. Хотя это и не совсем корректно, некоторую зависимость параметров транзистора от мощности Вы получите.

[Hitokiri]

Если интересен только основной тон, то можете попробовать обмерять транзистор на векторном анализаторе при различных уровнях мощности входного сигнала, а затем сохранить в виде многомероного массива данных (mdif-файла, например) для использования в САПР. Хотя это и не совсем корректно, некоторую зависимость параметров транзистора от мощности Вы получите.

Если режим работы тразистора, не будет сильно отличаться от того что задано при измерении S параметров, можно даже воспользоваться малосигнальным, это подойдет не для всех задач, но возможно будет произвести хотябы приблизительную оценку.До 300 МГц, пользовался малосигнальными, сносные усилители можно делать. Если гоняетесь за каждым процентом КПД, линейностью, ровностью АЧХ и вообще фанатизм в глазах. только калиброванные измерения. У нас грубую оценку производили приоткрывали транзистор, приблизтельно до такого состояния как он будет в жизни (тоже не для всякого транзистора и задачи покатит) но это достаточная для инженерной практики точность, даже лоад пулы до 250 МГц можно строить, и проценты кпд ловить. Выше с такими измерениями не лазил. Хорошие усилки получаются только с нелинейными моделями.