DDR3-Spartan6, импеданс 43 Ом Опции

[Volkov]

Трассирую DDR3-Spartan6. Так вот, в ихнем ките, трассы страссированы с импедансом 43 Ом. Причем, в стекапэидиторе заложен импеданс 45 Ом при толщине дорожки 3 мил. А реально страссировано с толщиной 3.3 тоесть 43 Ом. Промоделировал я этот кит в Huperlynx, получается уменьшение импеданса позволяет уменьшить овершоты., и таким образом вложиться в зону Vac -Vdc. Тогда я не пойму зачем писать в рекомендациях про 50 Ом импеданса. Понятное дело что понизив импеданс, можно снизить отражение сигнала от несогласованной линии, ток микросхемы греться жутко будут.

[Ant_m]

Мы оба частично не правы Извиняюсь вчера ответил почти не подумав.
ODT - терминация нужна.
CKE - резистор 4,7к в землю.

For DDR3 memory devices, the RESET and CKE signals should each have a 4.7 kΩ
resistor to ground to ensure that these signals are Low during memory initialization.
• For DDR2 memory devices, the ODT and CKE signals should each have a 4.7 kΩ
resistor to ground to ensure that these signals are Low during memory initialization.

Вот еще, рекомендации на DDR3 интрефейс V6:

The RESET and CKE signals are not terminated. These signals should be pulled down
during memory initialization with a 4.7 kΩ resistor connected to GND.

[dmitry-tomsk]

Мы оба частично не правы Извиняюсь вчера ответил почти не подумав.
ODT - терминация нужна.
CKE - резистор 4,7к в землю.



Вот еще, рекомендации на DDR3 интрефейс V6:

Спасибо!