Лично я считаю что лучше увеличивать надежность схем с MOSFET'ами путем уменьшения коэффициента нагрузки, применения обратных диодов с меньшей емкостью, не допускания сквозных токов, увеличения КПД.
Однако старшие товарищи смотрят на MOSFET как на ключ, у которого возможны два вида отказа – КЗ и разрыв, для которого возможно нагруженное и нагруженное облегченное резервирование, направленное на предотвращение более критичного отказа – последовательное включение для предотвращения замкнутого состояния и параллельное – для предотвращения разомкнутого состояния при отказе одного транзистора.
На практике я встречал такой отказ, когда у N-канального мосфета между затвором и стоком (сток на "+" питания) появляется сопротивление 500 Ом, но при работе это не приводило к открытию канала, вместо этого колебания на истоке вызванные другой частью схемы переходили на затвор, но в более корявом виде, т.е. отказ не был ни пробоем канала ни его разрывом.
Отсюда вопрос – какие бывают виды отказов у MOSFET`ов, и какие отказы более вероятны, а какие – менее, и как на вид отказа влияет вид приемки, тип корпуса, радиация, температура и срок службы прибора.
P.S. прочитал
www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-9010.pdf и еще пару статей в инете по отказам mosfet, типов отказов пока не видел...
Структурное увеличение надежности схем с МОП транзисторами
Dec 1 2011, 09:11
