реклама на сайте
подробности

 
 
> Структурное увеличение надежности схем с МОП транзисторами
Finarfin
сообщение Dec 1 2011, 09:11
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 160
Регистрация: 23-03-08
Из: Россия, Орёл
Пользователь №: 36 167



Лично я считаю что лучше увеличивать надежность схем с MOSFET'ами путем уменьшения коэффициента нагрузки, применения обратных диодов с меньшей емкостью, не допускания сквозных токов, увеличения КПД.

Однако старшие товарищи смотрят на MOSFET как на ключ, у которого возможны два вида отказа – КЗ и разрыв, для которого возможно нагруженное и нагруженное облегченное резервирование, направленное на предотвращение более критичного отказа – последовательное включение для предотвращения замкнутого состояния и параллельное – для предотвращения разомкнутого состояния при отказе одного транзистора.

На практике я встречал такой отказ, когда у N-канального мосфета между затвором и стоком (сток на "+" питания) появляется сопротивление 500 Ом, но при работе это не приводило к открытию канала, вместо этого колебания на истоке вызванные другой частью схемы переходили на затвор, но в более корявом виде, т.е. отказ не был ни пробоем канала ни его разрывом.

Отсюда вопрос – какие бывают виды отказов у MOSFET`ов, и какие отказы более вероятны, а какие – менее, и как на вид отказа влияет вид приемки, тип корпуса, радиация, температура и срок службы прибора.

P.S. прочитал www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-9010.pdf и еще пару статей в инете по отказам mosfet, типов отказов пока не видел...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
Microwatt
сообщение Dec 1 2011, 20:19
Сообщение #2


Гуру
******

Группа: Почетный участник
Сообщений: 6 851
Регистрация: 25-08-08
Из: Запорожье
Пользователь №: 39 802



скорее всего, тут речь не о видах отказов (имеем и кз и обрыв и соотношение давали надежники раньше), а о повышении надежности источников вообще. Это решается как на уровне тщательного исследования режимов , так и на уровне системного резервирования.
Включать ключи и диоды параллельно-последовательно - плохой метод, пришедший из эпохи релейной аппаратуры. Так мы заведомо ухудшаем характеристики даже полностью исправного источника и системы в целом.
Лучше путь - теплый резерв с избыточностью ( несколько источников впараллель). Тогда остается только проблема защиты сети от катастрофического отказа, решаемая кое-как плавким предохранителем.
Ну, еще остается узел объединения по ИЛИ. К счастью, не все отказы в нем повлияют на работу системы.

Вообще, параллельно-последовательное поэлементное резервирование процветало во времена, когда требовалась высокая надежность на короткое время. Когда система построена из низконадежных элементов и нет времени и ресурсов для логического анализа отказа и его парирования.
С появлением дешевых устройств логики и вычислительных мощностей простое дублирование или переключение не элемента, а целого узла показывает большую надежность при меньших аппаратных затратах.
Особенно для изделий с очень большим ресурсом. Для них привычное "два из трех" не годится в принципе. После определенного времени троированные системы становятся по надежности ниже нерезервированных вообще.
Если я правильно понял проблему.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 19th July 2025 - 19:16
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01378 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016