Возвратные токи в GND-слоях, и межслойные переходы для DDR2 (DDR3). Опции

[Serhiy_UA]

Есть два сигнальных слоя с цепями для DDR2 (DDR3) и два подстилающих GND-слоя.
Какая-то цепь через переходное отверстие (ПО) поступает с одного сигнального слоя на другой. Возвратный ток для этой цепи тоже должен перейти с одного подстилающего GND-слоя на другой. Но получается, что возвратный ток пройдет через ближайшее ПО, соединяющее подстилающие GND-слои. Таким образом, для возвратного тока формируется петля, и возникает соответствующая паразитная индуктивность, и как следствие, нарушается целостность сигнала DDR2 (DDR3) со всеми возможными неприятностями.
Вопрос такой.
Получается, что надо устанавливать множество ПО для связи между собой этих подстилающих GND-слоев. Какие на этот счет существует правила (или здравая стратегия/тактика)? Каков имеется опыт, и какие есть соображения?

[Vlad-od]

- про дюйм года 4 назад встречалась статья с исследованием влияния расстояния от земляного переходного до сигнального на англ. Адрес не скажу уже.
- может относиться к нескольким сигнальным.
- вырез делается для того, чтобы выдержать импеданс. Площадки как правило шире, чем сигнальный проводник, следовательно, опорный слой должен быть ниже. Если проводник равен по ширине КП, то никакого выреза не надо. Все рекомендации, которые я видел, сводятся к одному - рассчитали, попробовали (подобрали опытным путем) и теперь так делаем. Сам я вырезы не делаю. А вот антипады для дифпар делаю на цифровых платах, где частота сигнала за 500 МГц.
Если сигнальный проводник после перехода со слоя на слой идет относительно одного опорного слоя, то не провожу их друг под другом. Если опоры разные, то за этим не слежу.