IAR от новичка, помогите студенту Опции

[proga]

В универе мне дали задание самостоятельно изучить IAR для MSP430 . Я скачал данную программу с сайта ti.com (версия 4.0) . Затем создал новый проект (программу реализации часов реального времени с использованием таймера A ) . В режиме симуляции выполняю команду Build All для получения конечного программного кода. Однако выполнение данной программы прерывает ошибка :



Changed settings forces a full rebuild...
Rebuilding configuration: test - Debug
Updating build tree...

0 file(s) deleted.
Updating build tree...
RTC11x WD.s43
Linking
Error[e16]: Segment RESET (size: 0x2 align: 0x1) is too long for segment definition. At least
0x2 more bytes needed. The problem occurred while processing the segment placement
command "-Z(CONST)RESET=FFFE-FFFF", where at the moment of placement the
available memory ranges were "-none-"
Reserved ranges relevant to this placement:
ffe0-ffff INTVEC

Total number of errors: 1
Total number of warnings: 0





При создании другого проекта происходит тоже самое. Буду очень благодарен тем кто подскажет в чём же состоит моя ошибка .

[proga]

Да,к нему подключены дополнительные компоненты, и питание к ним подаётся . Что касается вашего вопроса,то кристалл там присутствует.Однако есть одна деталь, которую я забыл к сожалению упомянуть:кристалл мне был дан отдельно от программатора,и так как на программаторе нигде не указано,как правильно вставить в него кристалл (т.е как он должен быть ориентирован в тулките), то вставил я его как говорится "на удачу".

[rezident]

на программаторе нигде не указано,как правильно вставить в него кристалл (т.е как он должен быть ориентирован в тулките), то вставил я его как говорится "на удачу".

Удача к вам повернулась в анфас Есть там маркировка, вы ее не разглядели просто. Номера контактов ближе к углам панели вытравлены. Если расположить ToolKit так как на рисунке, то угол с первым выводом справа вверху. На кристалле первый вывод маркирован маленькой точкой-углублением. Смотрите внимательно, т.к. там могут быть еще два технологических углубления симметрично в других углах кристалла. Они обычно по размеру больше, чем ключевая отметка.