Пробивается ФЕТ в плече full-bridge, при отрицательном запирающем потенциале Опции

[jeka]

Было стандартное плечо с двумя ФЕТами. Но при повышении напряжения на плече начала негативно сказываться паразитная емкость G-D, которая приоткрывала закрытый ФЕТ при быстром открытии противоположного транзистора.
Можно банально увеличить время открытия или доп.емкость на гейты, в которую будет остаток заряда всасываться. Это работает, но я хочу для уменьшения тепловыделения уменьшить время переключения и дедтайм.
Для этого переделал схему, в качестве закрывающего напряжения использую -12 вольт вместо потенциала ноги source. +-12 вольт для драйвера беру с трансформатора. В качестве земли для драйвера каждого плеча использую отдельный отвод от ног S ФЕТов.
И тут начались приколы - включаю схему без нагрузки и без силового напряжения. Смотрю осциллографом на гейты - все нормально работает.
Подаю силовое напряжение 50v, без нагрузки. И тут сюрприз - один фет сдох. Пробой.

Силовое напряжение 50v подаю через резистор 20 ом. На силовой части емкость 2000 мкф. Феты мощные, IRFP4468. В пробой из-за перегрузок по току не верится, т.к. ФЕТы выживали в гораздо более суровых условиях.
Вероятно, причина такого появления трупов кроется в превышении тока или напряжения гейтов.
Хотелось бы разобраться в проблеме, понять ее истинные причины. Кто-нибудь с подобным сталкивался?

p.s. upd: драйвер там мощный, гейт может тянуть вниз током 4А, вверх через 12 ом.

[jeka]

Смотрим параметр "reverse transfer capacitance". Это емкость обратной связи G-D. В процессе открытия ФЕТа она разряжается, создавая отрицательную обратную связь и как следствие обеспечивая плавность открытия. du/dt диода также известно. Из него находим ток, который обеспечивает разряд этой емкости за нужное время.
Еще есть график под названием "typical gate charge vs gate-to-source voltage". По нему хорошо виден процесс заряда гейта.

[vao]

Смотрим параметр "reverse transfer capacitance". Это емкость обратной связи G-D. В процессе открытия ФЕТа она разряжается, создавая отрицательную обратную связь и как следствие обеспечивая плавность открытия. du/dt диода также известно. Из него находим ток, который обеспечивает разряд этой емкости за нужное время.
Еще есть график под названием "typical gate charge vs gate-to-source voltage". По нему хорошо виден процесс заряда гейта.

Если честно - какая-то муть.
Может я что-то не понимаю, но уменя похожие транзисторы открываются токами 2А - и работают.

Затворы пробиваются (99% из 100%) по ричине превышения напряжения.