Правильное синтезирование цепей согласования СВЧ-транзистора, MWO и de-embedding Опции

[Boriskae]

Столкнулся с проблемой. Есть транзистор в S диапазоне, даны требуемые импедансы цепей согласования в полосе частот, подобрал требуемые цепи согласования при помощи электромагнитного моделирования в MWO. Но заметил, что результат Zin очень сильно варьируется от изменения длины референсной плоскости (всегда больше двух толщин подложки). Вопрос: как добиться наиболее близких к реальности результатов?

[Boriskae]

Варьируется комплексное сопротивление (действительная и мнимая часть). Да, для транзистора требуется импеданс порядка 2-j5.5 Ом.А как тогда правильно смоделировать в EM согласующую линию для транзистора? Теперь точно приложу

Прикрепленные файлы

 zin.zip ( 47.45 килобайт ) Кол-во скачиваний: 25

 

[Filippov]

Варьируется комплексное сопротивление (действительная и мнимая часть). Да, для транзистора требуется импеданс порядка 2-j5.5 Ом.А как тогда правильно смоделировать в EM согласующую линию для транзистора? Теперь точно приложу

Если есть S-параметры для транзистора, то можно промодулировать цепи согласования в EM- симуляторе и подключить их к этим S-параметрам в схематике и посмотреть на КСВ...