Цитата(Boriskae @ Apr 25 2012, 14:04)

Вы считаете, что от этого увеличится точность расчётов?
Filippov прав, должна увеличиться. А если есть модель транзистора, можно создать схему его включения с Вашими параметрами (напряжениями и прочим, от этого, кстати, зависят и S-параметры) и на входе вставить Вашу ЕМ структуру в качестве подсхемы. Наверное можно даже попробовать вместо ЕМ стрктуры вставить просто её схему (это всего-лишь два элемента отрезка МПЛ, т.е. два элемента MLIN разной длины и ширины с элементом MSTEP между ними). Затем применить экстракцию для извлечения топологии этой цепочки и попробовать оптимизировать эту схему. Переменных для оптимизации не очень много, две длины и две ширины элементов MLIN. В качестве цели оптимизации выбрать VSWR или S11. Оптимизация для этой цепочки будет выполняться в электромагнитном анализе и получите оптимизированную ЕМ структуру. Возможно это займёт приемлемое время. Хотя, где-то ячитал, что не все поставщики дают S-параметры, совместимые с AWR.