реклама на сайте
подробности

 
 
> Усовершенствование китайского зарядного от мобилки
kt368
сообщение May 18 2012, 05:32
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 454
Регистрация: 13-10-10
Из: Киев
Пользователь №: 60 135



Здравствуйте! Хочу улучшить КПД китайской зарядки от мобилки. Схема на двух транзисторах, схема примерно такая, они все примерно одинаковые. При нагрузке уже в 1 Вт высоковольтные транзистор очень ощутимо греется. Начал гонять схемку в микрокапе, дошел до такой схемы (вложение). В микрокапе при нагрузках в 3...100 Ом и выходном напряжении около 5,6 В на мощном транзисторе выделяется 0,1...0,2 Вт, при этом частота преобразования 20...50 кГц (в зависимости от нагрузки, с уменьшением сопротивления нагрузки частота повышается). Сердечник E16 N87, зазор 0,4 мм.
В реале собранная эта схема при выходной мощности в 1 Вт довольно сильно греет транзистор, ну уж ни как не 0,1...0,2 Вт. Да и частота преобразования без нагрузки - около 100 кГц, при нагрузке в 20 Ом - повышается до 300 и выше кГц. В чем может быть ошибка? Неправильно моделировал или, может что-то с трансом (например) не так...Основная идея в моей схема была уменьшить время открывания и закрывания ключевого транзистора Q1 за счёт введения интересной ОС на элементах C9,D11,D10,R10,D7.

З.Ы. немагнитный зазор - это же для Ш-образного сердечника зазор в средней его "ножке", которая помещается внутрь каркаса?

Заранее спасибо.
Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
kt368
сообщение May 18 2012, 07:14
Сообщение #2


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 454
Регистрация: 13-10-10
Из: Киев
Пользователь №: 60 135



Цитата(Ydaloj @ May 18 2012, 09:37) *
а кто сказал, что простая китайская зарядка на рассыпухе может обеспечить лучшие параметры?
или хотя бы соизмеримые с интегральными контроллерами?
Я как раз и хочу для себя чётко уяснить можно ли добиться в реальном устройстве на рассыпухе на двух-трёх транзисторах лучшего КПД или нет. При моделировании-то всё чётко...
Цитата( @ May 18 2012, 09:40) *
Я уже писал в подобной теме, что в таких схемах транзистор открывается и закрывается медленно с помощью положительной ОС через трансформатор
Ну вот я и пробую улучшить эту ОС с трансформатора. Идея это ОС такая:
При подаче питания транзистор Q1, благодаря R1 и R9 приоткрывается, через обмотку L1 начинает течь линейно возрастающий ток, что приводит к появлению напряжения на обмотке L2 (синфазного с напряжением на обмотке L1), импульс этого напряжения через конденсатор C9 ещё сильнее открывает Q1 и т.д., а когда этот конденсатор зарядится - базовай ток транзистора Q1 будет течь через цепочку D7R10. Когда ток в катушке L1 достигнет примерно 250...300 мА, падение напряжения на резисторе R5 в эмиттере транзистора Q1 приоткроет транзистор Q2, который в свою очередь приуменьшит ток базы, транзистор перейдёт чуть-чуть в линейный режим - ток в катушке L1 возрастать не будет, а, следовательно, и напряжение на L2 начнёт падать, что через заряженный конденсатор C9 приведёт к лавинообразному закрыванию транзисторов Q1 и Q2.
Эта ОС должна быть лучше тем, что (в отличии от ОС в начальной схеме тем, что для открывания и закрывания транзистора Q1 используется бОльший ток из-за отсутствия резистора последовательно с конденсатором в цепи ОС. При моделировании получилось достичь выходной мощности 10 Вт при рассеиваемой транзистором мощности в 150 мВт.
Цитата(alexvu @ May 18 2012, 09:40) *
Есть еще схемы на нескольких транзисторах, про них не знаю.
Так это же и есть схема на двух транзисторах, в ней, в отличии от однотранзисторных, закрывание ключевого транзистора происходит не из-за насыщения сердечника трансформатора, а при достижении определённого тока через первичку, за которым и наблюдает второй транзистор. Сейчас пробую эту схему в LTSpice погонять...
На всяк случай прикрепил файл микрокапа...

Сообщение отредактировал kt368 - May 18 2012, 07:21
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  Crarger.CIR.zip ( 6.82 килобайт ) Кол-во скачиваний: 39
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 22nd July 2025 - 05:09
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01388 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016