|
Полевой транзистор в качестве электрически управляемого резистора, Кто использовал? |
|
|
|
 |
Ответов
|
Jun 10 2012, 03:05
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 122
Регистрация: 10-06-12
Из: Киев
Пользователь №: 72 254

|
Здравствуйте, разрешите присоединиться к вашему сообществу! Есть простой старый трюк, применяемый в студийных компрессорах (там рабочий уровень 0...+4дБ, т.е. около вольта), - перед регулированием ослабляют сигнал делителем до 10...100мВ, далее компенсируют это ослабление в усилителе, который стоит после этого аттенюатора. Если, как Вы пишите, малые искажения не очень важны, то можно ослабить и до 0,2-0,3В. В остальном, советовали верно - для снижения искажений два резистора (по 1МОм) + конденсатор (Хоровитц, Хилл). Транзисторы из доступных и дешёвых, например, у нас в Киеве - это J175 (смд - MMBFJ175). Можно, также, применять МОСФЕТ'ы, лучше с отдельным выводом подложки. Линейность, правда, получается чуть-чуть хуже. Я пробовал МОСФЕТ из микросхемы CD4007, HEF4007UBP (наша К176ЛП1), параллельно каналу подключал 2 последовательных резистора по 100кОм, а в их общую точку - подложку, это была ещё одна цепочка линеаризации в помощь первой. Кстати, для МОП'а резисторы "первой" цепочки не равны - тот, на который подаётся U_рег, у меня получился в 4 раза больше. Если интересно использовать R1 в качестве регулируемого, то есть способ с плавающим ПТ, но там управление осуществляется через преобразователь "напряжение-ток", можно, в принципе и через простое токовое зеркало. Правда, я уже не помню, как там я включал линеаризирующую цепочку, которой нет в схеме-прототипе. Могу нарисовать, если что.
|
|
|
|
|
Jun 16 2012, 18:37
|
.
     
Группа: Участник
Сообщений: 4 005
Регистрация: 3-05-06
Из: Россия
Пользователь №: 16 753

|
Цитата(Tuvalu @ Jun 10 2012, 08:05)  Если интересно использовать R1 в качестве регулируемого, то есть способ с плавающим ПТ, но там управление осуществляется через преобразователь "напряжение-ток", можно, в принципе и через простое токовое зеркало. Правда, я уже не помню, как там я включал линеаризирующую цепочку, которой нет в схеме-прототипе. Могу нарисовать, если что. Этот концепт, реализованный в последней схеме не очень понятно какие имеет приемущества перед обычной схемой (кроме первого предложения на схеме из книги), в той, где фет включён в ООС. Ну и не очень ясно, куда подключён R3 на последней схеме. Я так понимаю, управление фета создаётся поддержкой постоянного управляющего напряжения относительно истока фета и это на плавающем фете. Но в обычной схеме всё то же самое, но только исток не плавающий. Все остальные же недостатки никак не нивелируются. Ну и по поводу подключения R3 там ещё особенность, но сначала хотелось бы узнать ответ о нём. Попробуйте с симуляторе проверить работу схемы на предельном ослаблении (близком к полному отключению, допустим с сопр.фета = 30..100 от минимума) сигнала (обычного синуса). Вот идея с оптроном LED-JFET (LED-MOSFET) очень интересная. Мне такое в голову не приходило, только с фоторезистором. Есть оптроны PVT322, с двумя последовательными мосфетами. Любопытно узнать результат их испытания вместе с H11F1.
Сообщение отредактировал GetSmart - Jun 16 2012, 19:35
--------------------
Заблуждаться - Ваше законное право :-)
|
|
|
|
|
Jun 16 2012, 22:20
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 122
Регистрация: 10-06-12
Из: Киев
Пользователь №: 72 254

|
Цитата(GetSmart @ Jun 16 2012, 23:37)  Этот концепт, реализованный в последней схеме не очень понятно какие имеет приемущества перед обычной схемой (кроме первого предложения на схеме из книги), в той, где фет включён в ООС. Тут надо рассуждать с "другой стороны". 1) Имеем систему АРУ. Мы не знаем (ТС не написал), насколько должен быть ослаблен сигнал в процессе регулирования в установившемся режиме. 2) Исходим из того, что чем меньше напряжение на канале ПТ, тем меньше искажения. Значит, возможны, по крайней мере, 2 случая: а) Ослабление в процессе регулирования большое, в таком случае, оптимальней схема автора из Сообщения #4 с включением ПТ после резистора на общий провод (землю). ПТ сильно открыт, на нём небольшое U, искажения небольшие. б) Необходимое ослабление небольшое. Что-то мне подсказывает, что в генераторе автора так и есть, хотя, это сильно зависит от схемы. В этом случае, выгодней применить "горизонтальное" расположение ПТ - плавающее включение "из книги". ПТ почти полностью открыт, u_с-и небольшое, искажения тоже небольшие. Это ответ на Ваш первый вопрос. Т.е. абсолютного преимущества того или иного включения ПТ не существует, всё определяется требованиями АРУ базовой схемы. Про "обычную схему с фет-ом в ООС" не понял. Ну, т.е., такая схема есть, конечно, но автор спрашивал про (пассивный) аттенюатор. Цитата Ну и не очень ясно, куда подключён R3 на последней схеме. Это "второй" резистор аттенюатора. Подключать можно, например, в искусственную среднюю точку питания. Её потенциал должен быть и на истоке ПТ ("+" вх. ОУ). В этом случае через ПТ не протекает постоянный ток, что и требуется. Если между этим резистором и ПТ включить разделительный конденсатор, то этот R3 можно включить на общий. Т.е. тут надо исходить из того, что для нормальной работы плавающего n-JFET на его канале не может быть потенциала земли (минус), иначе его уже никак не закрыть - неоткуда взять управляющий сигнал "минусее" минуса. В схеме же из Сообщения #4, канал ПТ может находится под потенциалом земли, а регулирование происходит "в плюс" от земли (p-JFET). Цитата Попробуйте с симуляторе проверить работу схемы на предельном ослаблении (близком к полному отключению, допустим с сопр.фета = 30..100 от минимума) сигнала (обычного синуса). Я уже писал об этом - плавающее включение хорошо при небольших К_ослабления, т.е. когда ПТ почти полностью открыт. Повторюсь, всё определяется требованиями по К_ослаблению системы АРУ. Говоря Вашими словами, попробуйте с симуляторе проверить работу "обычной" схемы (с ПТ после резистора на землю) при небольшом ослаблении, тоже близком к полному отключению ПТ. Будет то же самое. Иначе говоря, для обеспечения малых искажений на канале ПТ не должно быть большого напряжения сигнала, т.е. по-любому, ПТ выгодней держать как можно более открытым, что в первой, что во второй схеме.
Сообщение отредактировал Tuvalu - Jun 16 2012, 22:25
|
|
|
|
|
Jun 16 2012, 23:25
|
.
     
Группа: Участник
Сообщений: 4 005
Регистрация: 3-05-06
Из: Россия
Пользователь №: 16 753

|
Цитата(Tuvalu @ Jun 17 2012, 03:20)  ..для обеспечения малых искажений на канале ПТ не должно быть большого напряжения сигнала, т.е. по-любому, ПТ выгодней держать как можно более открытым, что в первой, что во второй схеме. Это понятно, что сигнал для jfet-ов ограничен грубо на 0.3 вольтах. Найти бы красивую схему на jfet-е, которая будет качественно работает вплоть до полного закрытия фета, точнее около, т.к. закрыть его намертво несложно, достаточно подать на затвор напряжение отсечки на вольт выше относительно истока, если при этом сток-исток не будет плавать выше +-0.5 вольт. Вобщем с запасом.
Сообщение отредактировал GetSmart - Jun 16 2012, 23:26
--------------------
Заблуждаться - Ваше законное право :-)
|
|
|
|
Сообщений в этой теме
asc2000 Полевой транзистор в качестве электрически управляемого резистора May 31 2012, 14:36 iosifk Цитата(asc2000 @ May 31 2012, 18:36) Здра... May 31 2012, 15:42 asc2000 Цитата(iosifk @ May 31 2012, 18:42) А зач... Jun 1 2012, 06:42  Tanya Цитата(asc2000 @ Jun 1 2012, 10:42) Управ... Jun 1 2012, 06:54  _3m Цитата(asc2000 @ Jun 1 2012, 10:42) Мне н... Jun 1 2012, 07:07   Пушкарев Михаил Управляемый напряжением резистор раньше делали на ... Jun 1 2012, 07:23    asc2000 Цитата(Пушкарев Михаил @ Jun 1 2012, 10:2... Jun 1 2012, 07:44     dimka76 Цитата(asc2000 @ Jun 1 2012, 10:44) Я тож... Jun 1 2012, 08:13      _3m Цитата(dimka76 @ Jun 1 2012, 12:13) А чем... Jun 1 2012, 08:20      GetSmart Цитата(dimka76 @ Jun 1 2012, 13:13) А чем... Jun 1 2012, 11:14       asc2000 Спасибо всем за советы.
Буду думать. Jun 1 2012, 14:49     Пушкарев Михаил Цитата(asc2000 @ Jun 1 2012, 10:44) Я тож... Jun 1 2012, 08:49   asc2000 Цитата(_3m @ Jun 1 2012, 10:07) Амплитуда... Jun 1 2012, 07:32    _3m Цитата(asc2000 @ Jun 1 2012, 11:32) Не мо... Jun 1 2012, 07:41    Plain Цитата(asc2000 @ Jun 1 2012, 10:32) для м... Jun 1 2012, 08:37  Меджикивис Цитата(VCO @ Jun 1 2012, 13:06) MOSFET в ... Jun 1 2012, 10:30   VCO Цитата(Меджикивис @ Jun 1 2012, 13:30) Ну... Jun 1 2012, 11:09 V_G 1. Большая нелинейность, модуляция сопротивления в... May 31 2012, 21:28 dimka76 http://www.chipinfo.ru/literature/radio/200405/p69... Jun 1 2012, 08:21 VCO Не проще ли операционным усилителем решить эту эле... Jun 1 2012, 09:06 jks Здесь есть статья про транзистор в качестве переме... Jun 1 2012, 15:08 SmarTrunk Применял КП303, КП103 в качестве переменных резист... Jun 1 2012, 16:02 shkal Полевиков довольно много, выбирать с максимальным ... Jun 1 2012, 16:35 jam Цитата(asc2000 @ May 31 2012, 18:36) Здра... Jun 2 2012, 03:20 dkg10 [quote name='asc2000' date='May 31 201... Jun 3 2012, 20:58 asc2000 Цитата(Tuvalu @ Jun 10 2012, 06:05) Если ... Jun 13 2012, 10:34    Tuvalu ЦитатаНайти бы красивую схему на jfet-е, которая б... Jun 17 2012, 00:59 Tuvalu Пока я рисую, рассмотрите возможность применения о... Jun 13 2012, 21:27 asc2000 Спасибо за наводку на H11F1. Изучаю datasheet, пох... Jun 14 2012, 05:31 Tuvalu Вот, нашёл-таки схему прототипа. Ну, и моя адаптац... Jun 16 2012, 13:50 alexvu А не покатит светодиод + фоторезистор? Достать, ду... Jun 20 2012, 14:08
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|