Экстракция моделей с реальных транзисторов Опции

[BarsMonster]

Подскажите, как и чем снимают модели с реальных тестовых структур изготовленных по новому техпроцессу?

[Пацаев]

Подборка книг тут

Есть ли возможность обновить данную ссылку? Может, у кого-то еще найдется литература по экстракции параметров, в основном МОП транзисторов? Для каких МОПТ-моделей методики экстракции есть в общем доступе? Я так понимаю, сами методики экстракции из ВАХ и ВФХ - это графическое нахождение основных параметров путем экстраполяции участков характеристик? (по крайней мере порог МОПТ определяется как пересечение касательной к лин.части затворной хар-ки с осью напряж-й, крутизна - тангенс угла наклона этой касате-й, вроде как). Ссылки на подобные методики не встречались? Хотелось бы не прибегать к использованию IC-CAP, постараться сделать самому.
Верно ли, что модель MOSFET level3 не достаточна (если так можно выразиться) для моделирования аналоговых схем с миним. длиной канала 3 мкм? (слышал, что подпороговая область этой моделью описывается с большой погрешностью).
Кто какими моделями пользуется для подобных размеров транзисторов?