Цитата(Ydaloj @ Jul 17 2012, 15:16)

Vro=D*Vdc/(1-D) - выброс на ключе на обратном ходу
Vds=Vdc+Vro - напряжение на стоке на обратном ходу
(Dmax) should be determined so that Vds nom would be 65~70% of the MOSFET voltage rating considering the voltage spike caused by the leakage inductance. In the case of 650V rated MOSFET, it is typical to set Dmax to be 0.45~0.5.
А если планировать питальник на терпимость к суровой русской электросети со своими скачками напряжения, то лучше снизить Dmax до значения 0,35-0,4, спать спокойнее будет.
Нет, тут явно какая-то несуразица.
Никакого отношения коэффициент заполнения к предельному напряжению ключа не имеет. Если, конечно, параметры трансформатора расчетные, а не приспособить любой ценой имеющийся готовый. Индуктивность рассеивания тоже ни при чем. Она может снизить КПД, но к заполнению отношения вовсе не имеет.
Русскую зиму, конечно, уважать нужно, но ссылаться на нее всуе - не стоит.
Да, в сетевом флае так складывается, что оптимально использовать 0.35-0.45, но это не догма.
Есть пример построения однотранзисторного прямохода для сети 90-265 вольт на... 500-вольтовом ключе! Неоптимально, конечно, но сам принцип продемонстрирован ярко. Трансформатором можно выбрать все.