Экстракция моделей с реальных транзисторов Опции

[BarsMonster]

Подскажите, как и чем снимают модели с реальных тестовых структур изготовленных по новому техпроцессу?

[TiNat]

Подскажите, как и чем снимают модели с реальных тестовых структур изготовленных по новому техпроцессу?

Все зависит от того какие цели Вы преследуете и сколько денег Вы (компания) готовы отдать на измерительное оборудование. Если моделями заниматься серьезно, то как написал Alex_IC, лучше использовать специализированную измерительную установку "Анализатор полупроводниковых приборов B1500A" (Agilent) со следующими модулями (HRSMU (B1517A), HV-SPGU (B1525A), MFCMU (B1520A)). Данные модули необходимы для измерения статических, импульсных и емкостных параметров. B1500A позволяет измерять ВАХ и ВФХ в диапазоне температур от -60 до +125, +-100В, +-100мА. Но одной такой установки может не хватить. Так как существует проблема со временем измерения. После анализа методик измерения, мы на нашем предприятии сделали вывод, что время измерения полного набора характеристик может занять очень долгое время, т.к. проводится измерение большого набора характеристик с малым шагом. При этом для экстракции одного типа транзистора необходимо измерение от 16 транзисторов с разной геометрией. Можно также использовать прецезионный анализатор полупроводниковых параметров HP4156B. Для экстракции моделей, помимо вышеперечисленного оборудования мы используем следующее: E4980 LCR метр, 4140 B пикаомперметр, 4275 LCR метр.
Для измерения частотных параметров необходим ВЧ и СВЧ анализатор цепей серии PNA-L, N5230 от 300 кГц до 20 ГГц.
Если в модели Вы хотите ввести статистический блок, позволяющий моделировать статистический анализ по методу Монте-Карло, то необходима установка полуавтоматического измерителя. Но данная установка будет стоить очень больших денег, так как погрешность измерений параметров должна быть минимальной, ведь необходимо определять разброс параметров от пластины к пласитне и в рамках одной пластины, т.е измерять нужно очень точно!!!
Ну а ПО для экстракции Alex_IC уже советовал - IC-CAP (наиболее распространенное ПО).

Как собственно из результатов измерений получают модель?

Экстракцию DC параметров можно разбить на 4 этапа:
1) грубая подгонка физических параметров (это занимает очень мало времени, средняя погрешность до 20%)
2) уже более точная подгонка вышупомянутых физических параметров (средняя погрешность до 10%, время на экстракцию увеличивается на порядкок по сравнению с первым этапом)
3) подгонка 10-20 бининговых параметров (средняя погрешность до 5%, время на экстракцию увеличивается в 3 раза по сравнению с первым этапом)
На этом можно было бы и закончить экстракцию. Погрешности 5% вполне достаточно, но если необходимо меньшая погрешность то переходим к 4 этапу.
4) подгонка со всеми бининговыми параметрами (при этом исключительно сильно возрастает машинное время, а погрешость падает до 3-4%).