Предельные параметры Шоттки Опции

[eleks]

Для многих диодов Шоттки приводится предельный параметр Voltage Rate of Change (Скорость изменения напряжения) dV/dt. Кто-то может пояснить смысл этого ограничения. Почему оно имеет место?

Сообщение отредактировал eleks - Oct 30 2012, 12:01

[Integrator1983]

Не плохо было бы ткуть носом в какие-то документы где подробно описывается механизм повреждения диода Шоттки при скачке напряжения.

Все ссылаются на Acharya, K. and Shenai, K. ”On the dV/dt Rating of SiC Schottky Power Rectifiers,” Proceedings Power Electronics Technology Conference, October 2002, pp. 672-677.
Правда, найти ее в электронном виде не удалось.

Судя по всему, механизм разрушения - Dynamic Avalanche Breakdown:
"When the applied reverse voltage applied on the
Schottky diodes, the electric field within the diode is so strong that thermally
generated electrons and holes can get enough kinetic energy to knock on atoms and
generate extra electron-hole pairs within the diode. With these newly generated
electron-hole pairs, this process will continue and be amplified under the high
electrical field. As a result, a dramatically increased reverse current will generate
within device and destroy the device thermally over a certain time period."

[eleks]

Snaky
Integrator1983
Огромное спасибо!

Кажется превышается допустимый ток заряда емкости перехода (I=C*dV/dT).

В том-то и дело, что это в первую очередь посчитал и получил вполне безобидное значение
Похоже, что это в самом деле какая-то форма лавинного пробоя, свойственная диодам Шоттки

Сообщение отредактировал eleks - Oct 31 2012, 07:19