NAND или как его побороть Опции

[deplen]

Здравствуйте!

Задача стирания NAND флешки уже несколько притомила. В большинстве примером (большинство что я увидел на просторах интернета) сводятся к такому коду:

Код

void erase (uint16_t n) // как я понял н это номер блока
{  
  uint16_t addr1;
  uint8 addr2, addr3

  addr1 = n << 6;  // вот тут в каких 6 в каких 5
  addr2 = (uint8_t) (addr1 & 0xFF);
  addr2 = (uint8_t) ((addr1 >> 8) & 0xFF);

// и дальше addr1 и addr2 передаются в команду стирания
}

кто бы доходчиво мог объяснить что делается в данном коде... я не понимаю несколько моментов.
В описание в работе с нанд памятью указано что подаается 3 команды. В которых участвуют адреса блоков, страниц. Но как связан данный код с тем что требуется передать.
Спасибо.

Сообщение отредактировал IgorKossak - Dec 5 2012, 11:34

Причина редактирования: [codebox] для длинного кода, [code] - для короткого!!!

[SyncLair]

давайте по порядку, лучше плясать от исходника.

1. наверное в последней строке addr3 иначе предыдущая строка не имеет смысла

а. номер блока умножается на 64 (значит в одном блоке 64 страницы)

б) номер блока распределяется в две однобайтные переменные

г) они куда то там передаются (вы уверены что передаются addr1 и addr2 )

тогда зачем addr3?????

вы бы глубоко вздохнули и ещё раз написали пример поподробнее

[deplen]

давайте по порядку, лучше плясать от исходника.

1. наверное в последней строке addr3 иначе предыдущая строка не имеет смысла

а. номер блока умножается на 64 (значит в одном блоке 64 страницы)

б) номер блока распределяется в две однобайтные переменные

г) они куда то там передаются (вы уверены что передаются addr1 и addr2 )

тогда зачем addr3?????

вы бы глубоко вздохнули и ещё раз написали пример поподробнее

Код

void Erase(uint16 block)
{
    uint32 pageNum
    uint8_t addr1,addr2;
    num = block << 6;
    addr1 = (uint8_t)( num & 0xff );
    addr2 = (uint8_t)( ( num >> 8 ) & 0xff );

    Далее команда на стирание 60h
    Передаем адрес addr1
    Передаем адрес add2
    Вторая команда стирания d0h

    Ожидаем ответ Ready/Bysy пина
}

Вот пример как он выглядит в программе к микроконтроллеру и на большинстве примеров из сети. Прошу прощения что назвал переменные не совсем коректно в прошлом примере..просто пытался объяснить и не вдавался в смысл названий.

Завтра уже нада что то показывать начальнику, а я в простой адресации не могу разобраться.

Сообщение отредактировал IgorKossak - Dec 5 2012, 17:05

Причина редактирования: [codebox] для длинного кода, [code] - для короткого!!!

[aaarrr]

Завтра уже нада что то показывать начальнику, а я в простой адресации не могу разобраться.

У NAND флеш есть понятия страниц и блоков. Стирание ведется только блоками. Один блок в вашем примере содержит 64 страницы.
Так в чем, собственно, вопрос?