Контроль температуры ядра ПЛИС Cyclone IV. Опции

[jks]

Есть задача контролировать температуру ядра ПЛИС Cyclone IV (EP4CGX30CF23) и при превышении определенного критического значении автоматом понижать тактовую частоту.
На плате установлен температурный датчик, который измеряет среднюю температуру платы, но он завязан не на ПЛИС, а на управляющий сопроцессор.
Плата находится внутри герметичного прибора. Принудительной вентиляции нет.
Собственно вопрос возник из-за того, что ПЛИС EP4CGX30CF23 достаточно мощная и сейчас используется по минимуму, но если загрузить по полной, то потреблять
будет достаточно много. При длительной работе в таком режиме в условиях максимальной рабочей температуры окр. среды возможен перегрев.
Температурный диапазон -20 +50.

Возникла мысль каким либо образом использовать зависимость разброса параметров от температуры (PVT) логики или выходных буферов для этих целей.
НО пока нет уверенности, что это реально.

Может у общественности есть какие мысли по этому поводу?

ПС: Собственно необходимо не измерение температуры, а поддержание температуры ядра в диапазоне стабильной работы и переход в режим пониженного потребления за счет понижения производительности.

[dvladim]

Вот нашел статейку где индусы при помощи генератора на линии задержки и внешней опоры измеряют температуру кристалла.

Можно конечно кольцевой генератор сделать, но его частота будет сильно зависеть не только от температуры, но и от напряжения питания и самой схемы (быстрая/медленная). Т.е. придется калибровать каждую схему.

Без специализированного диода можно сделать на обычном IO элементе. В каждом IO есть диод. Подаёте отрицательное напряжение на ногу, и открывается диод ESD защиты. Он довольно мощный, как и у обычного диода у него линейная зависимость напряжения от температуры (если подавать фиксированный ток).