Испытания на радиационную стойкость, Как проводят в России Опции

[BarsMonster]

Интересует как и где проводят испытания на радиационную устойчивость в России?
Насколько трудно/дорого "прогнать" свой девайс?

Тестируют обычно на гамма/нейтроны, аль еще что?

Традиционно прошу простить за свои вопросы :-)

[TiNat]

Добрый день. Вопрос скорее всего в эту ветку. Может быть кто-нибудь сталкивался со SPICE-параметрами МОП и биполярных транзисторов после облучения? Создают ли такие модели зарубежные/отечественные фабрики? Столкнулись с тем, что нам нужно сделать как раз такие модели, причем не "с потолка", а достаточно адекватные. Приведу наш намеченный алгоритм действий, а знающие форумчане надеюсь подправят/посоветуют/помогут. Мы планируем облучать наши образцы(тестовые транзисторы/резисторы/диоды/конденсаторы) гамма-излучением с набором дозы. Планируется 6-7 доз облучения, для каждой измерение характеристик под спайсы, нахождение ухода параметров и описание этого ухода в зависимости от дозы (полиномиальными коэффициентами). Этот уход планируем учесть добавлением в символьную библиотеку для каждого из элементов дополнительного параметра ДОЗА РАДИАЦИИ (так же, как например ШИРИНА и ДЛИНА). В зависимости от этого параметра и будут рассчитываться зависящие от дозы коэффициенты модели. Основная проблема с МОП-транзисторами: не понятно как учесть то, что в зависимости от режима его работы (открыт/закрыт/какое-то напряжение на стоке и затворе) уход будет различным. Планируем сделать около 7 промежуточных моделей (с градацией по напряжению стока и затвора). Как видно, получается огромное количество облучений/измерений/подгонки моделей. Даже если все так и получится, как мы планируем, то не понятно как потом на моделировании подгружать правильную модель для каждого транзистора. Ведь не всегда изначально известно в каком режиме он будет работать, это относится даже к критичным блокам, не говоря уже об остальной массе некритичных элементов. Возможно стоит сделать отдельную модель Monte Carlo со случайным выбором ухода? Причем чтобы этот уход выбирался из всего диапазона доз и режима работы транзистора?

В итоге кратко сформулирую основные проблемы: 1) методология правильного объема измерений элементной базы 2) методика создания SPICE-моделей, правильного описывающих поведение транзисторов после облучения 3) как правильно моделировать схему, имея эти SPICE-параметры.

Буду рад любому адекватному ответу по данным вопросам, а так же ценной помощи по той части работы , которую я возможно упустил. Заранее спасибо.

P.S. Кстати, да. Может есть какие статьи или книги?

Сообщение отредактировал TiNat - Mar 5 2013, 18:01