День добрый! Если у Вас исследовательская работа, то действительно, можно накопать необъятное множество режимов / мощностей доз / уровней и т.п. Моделей до/после облучения не встречал (и не интересовался ими), но думаю при желании можно сделать экстракцию параметров. Мне кажется правильнее было бы сделать стандартную экстракцию параметров транзистора в SPICE по мере набора дозы в нескольких жестко заданных режимах. У нас, например, есть хороший анализатор (Agilent B1500) для полной характеристики элементов. Режим облучения выбирать исходя либо из реальных условий в аппаратуре, либо самый критичный режим для класса изделий. кратко по вопросам мое мнение 1) правильный объем измерений - объем, достаточный для экстракции параметров модели. 2) создание модели - сами никогда не занимались, думаю есть стандартные методолгии 3) если имеете spice модель - то моделирование схемы как обычно. Вы получите несколько режимов, в соответствии с подставленными моделями элементов.
|