Работа не исследовательская, необходимо создать SPICE-модели, описывающие поведение элементной базы после воздействия облучения (в дополнение к стандартным вариантам type, fast, slow, MC).
Цитата
сделать стандартную экстракцию параметров транзистора
---> вопрос настолько неопределенный, что даже не хочется его поднимать в этой ветке.
По поводу анализатора В1500 (пользуемся таким же): место облучения и место измерения пространственно разделены. Т.е. измерения проводим не мы, а специалисты, проводящие облучение. Аппаратура измерения у них намного ниже классом. Соответственно бОльшая часть характеристик под спайсы отпадает в виду недостоверности. Плюс измерение каждого по отдельности транзистора - это сложная процедура, особенно в активном режиме, т.к. необходима сложная оснастка для подачи необходимого напряжения на выводы транзистора (для двух и более одновременно облучаемых транзисторов). Плюс измерения необходимо проводить почти сразу после облучения, т.к. со временем транзистор имеет свойство восстанавливаться после ухода параметров (Это все считал очевидным для тех, кто сталкивался с подобной проблемой. Поэтому и не описывал в изначальном вопросе).
Цитата
Режим облучения выбирать исходя либо из реальных условий в аппаратуре, либо самый критичный режим для класса изделий
Стоит задача сделать модели в широком диапазоне доз. Тому, кто не работает на дозах, соответствующих максимуму, заложенному в модели, придется искусственно изменять схему и увеличивать размер топологии. Вопрос заключается именно как раз в нахождению оптимума между достаточной точностью апроксимации и минимумом измерний.
Цитата
3) если имеете spice модель - то моделирование схемы как обычно
Не понятно, т.к. опять-таки неправильно ставить уход параметров от одного режима облучения элементам, которые в таком режиме может никогда и не работают. В итоге какой-то искусственный перекос.
Но за желание помочь все равно СПАСИБО. Может пояснения подтолкнут кого-нибудь другого на хорошую идею. Но пока все три вопросв остаются открытыми.
Сообщение отредактировал TiNat - Mar 19 2013, 15:14