MOSFET в источнике тока Опции

[x-men]

Добрый день!
Есть некоторый фрагмент схемы, который меня немного смущает.
Назначение - смещение по уровню и масштабирование сигнала по постоянному току.
По сути это схема обычного источника тока с использованием MOSFET транзистора.
Схема для конкретизации приведена на рисунке, но она немного упрощена - не показаны цепи регулировки смещения по неинвертирующему входу.

Решение использовал уже не раз. Но сейчас немного другие условия, обусловленные наличием двух источников питания: один двухполярный (+15V1 и -15V1) и второй однополярный (+15V2). -15V2 подключен к общему выводу. В реальности это дс-дс преобразователи.
Опасения есть за MOSFET. Источник тока находится внутри схемы устройства, но в переходных режимах (включения-выключения) затвор может пробить. Предполагается что это будет что-то типа BSS123, BSS138. Предельно допустимое напряжение затвор-исток +-20В.
ОУ-что-то типа OP2177 (на рисуночке чисто условно показан одноканальный ОУ).
Как можно ограничить схемотехнически напряжение затвор исток? Стабилитрон паралельно затвору истоку грозит погрешностью из-за обратного тока. А что еще можно предпринять?
Для защит транзистора в принципе достаточно как-то зафиксировать исток к общему проводу, но цепь регулировки смещения портит картину.
Или может быть я черезчур перестраховываюсь?

[AlexeyW]

Вообще говоря, у стабилитронов не такой уж большой ток утечки.
Другой вариант: судя по номиналам, быстродействие схемы невелико. Не исключено, что можно добавить емкость между затвором и истоком (правда, и у самого транзистора уже есть емкость, но она сильно зависит от напряжения) - она может принять на себя какие-то токовые импульсы при включении и уменьшить выброс напряжения. А еще лучше - таки поставить стабилитрон в затвор-исток, но последовательно с ним включить большую емкость - тогда в статическом режиме не будет утечки (только нельзя забывать, что из-за утечки стабилитрона на емкости будет напряжение, близкое к управляющему).
Но я бы просто аккуратно проанализировал схему самого устройства на предмет переходных процессов.

Кстати, я бы добавил емкость между выходом ОУ и инвертирующим входом - иначе возможно возбуждение схемы. Также и управлять затвором лучше через сопротивление, иначе перегрузите ОУ (а если выход биполярный, так он сгорит).

[Aner]

... можно добавить емкость между затвором и истоком (правда, и у самого транзистора уже есть емкость, но она сильно зависит от напряжения) - она может принять на себя какие-то токовые импульсы при включении и уменьшить выброс напряжения.
...

Зацензурировано. Т.
Добавленная ёмкость между затвором и истоком это положительная обратная связь по переменке, как раз для возбуждения и генерации подойдет.
А ему нужен устойчивый режим. От напряжения зависит только емкость затвора.

Если вам не лень то просимулируйте на каком-либо симуляторе. будет надежнее для вас. Если не знаете как делать.

Причина редактирования: Цензура.

[AlexeyW]

Добавленная ёмкость между затвором и истоком это положительная обратная связь по переменке, как раз для возбуждения и генерации подойдет.

Что такое "положительная ОС по переменке"? Такое словосочетание вообще может иметь смысл? Странно, почему собственная емкость не является "положительной ОС по переменке", а внешняя является. И там кроме этого я написал насчет устойчивости (которая в данном случае охватывает всю петлю вместе с ОУ, а не только транзистор).

Пока планируется примерно так, как на этом рисуночке.

Только на +/-2,5В еще емкости нужны обязательно (извиняюсь, если очевидность говорю, но на всякий случай).

Я кажется придумал как выйти из положения.

Ну, замечательно Просто сначала не было написано, какая точность нужна, сейчас ясно.
Я сам недавно решал задачу управления полным мостом при условии недопустимости токовых утечек на еще более низких уровнях, там и диоды были неуместны - только емкостные развязки на керамике.