Столкнулся со следущей проблемой - нужно создать достаточно большое хранилище данный(размер - 4 Гб). Одно из требований - радиационностойкость(поэтому Micron и Samsung не подходят). Сначала решил делать на SDRAM обычном - получаеться , что нужно 8 микросхем.В случае применения DDR SDRAM - только 4.Но как я понимаю контроллер памяти будет значительно сложнее + заморочки с Vref.Возникает вопрос - какое решение лучше?
Также есть второй вопрос - данные нужно периодически выдавать по интерфейсу LVDS со скоростью 40 Мбит/с.Внутри собираюсь использовать 51 контроллер.Есть ли смысл использовать DMA для передачи данных или же можно обойтись без него?
ПЛИС ориентировочно собираюсь использовать Actel RT3PE600L.
даже rad-стойкие ЭРИ "плывут" со временем. так что касаемо памяти вам абсолютно правильно предлагают использовать real-time ECC в любом случае. даже если в качестве "гарантий" вам обещают 3х-кратное резервирование блоков управления. или вы в очереденой раз пытаетесь довериться маркетОЛУХАМ?
--------------------
провоцируем неудовлетворенных провокаторов с удовольствием.
Выбор памяти для ОЗУ
Apr 11 2013, 06:11
