Разработка цифровой топологии с учетом радиационной стойкости Опции

[caden45]

Здравствуйте, подсткажите на что обратить внимание при разработке цифровой топологии с учетом радиационной стойкости. Какие есть книги или статьи по теме и какие фабрики имеют необходмый дизайн кит, отвечающий требованиям радиационной стойкости. По ТУ рад. стойкость 2Ус.

[TiNat]

Если буквально 3 слова по теории, то:

Первая проблема связана с накоплением положительного заряда в области межкомпонентной изоляции, представляющей собой «толстый» диэлектрик, после поглощения больших доз ионизирующего излучения, что приводит к инверсии проводимости низколегированных р-областей и, следовательно, к появлению связи между областями n-типа, не предусмотренными электрической схемой.
Вторая проблема связана с возникновением эффекта «защёлкивания» микросхемы, вследствие срабатывания паразитного npnpn тиристора, составляющего собственно типовую КМОП структуру. Последнее происходит во время воздействия мощного импульса ионизирующего излучения, генерирующего большое количество электронно-дырочных пар в кремнии, инициирующих ток включения тиристора, что приводит его в состояние с низким сопротивлением. Если напряжение удержания паразитного тиристора ниже напряжения питания, работоспособность схемы не восстановится, а высокий ток включённого паразитного тиристора приведет к разрушению схемы.

Основные методы повышения стойкости:
1) технологические (использование КНИ, использование эпитаксиальных слоев, правильный подбор доз легирования)
2) конструктивный (использование кольцевых затворов, использование конструкций с разрывом в окисле)

Сообщение отредактировал TiNat - May 20 2013, 09:58

[caden45]

Прочитан некоторый обьем сатей касательно РС стойкости. В них
как основные методы указанны

Основные методы повышения стойкости:
1) технологические (использование КНИ, использование эпитаксиальных слоев, правильный подбор доз легирования)
2) конструктивный (использование кольцевых затворов, использование конструкций с разрывом в окисле)

Вопрос: имеются ли конструкторско-топологические методы при разработке топологии кристала, например при проектировке шин питания и т.д, или все сводится только к КНИ и топологии стандарт селов?