Ориентация на механические micro-Vias - есть ли в этом смысл? Опции

[sinc_func]

При раскладке BGA согласно рекомендациям Резонита мы можем ориентироваться на сквозные via размера 0.2/0.5.
Но если почитать что предлагается за бугром - примерно в подобном типоразмере при тонких препрегах выполняется сверловка контролируемой глубины с малым соотношением глубина/диаметр (скажем где-то под 0.5). Металлизация далее выполняется в едином процессе с основными Via-сами.
И вроде бы - мы должны получить глухие отверстия на внешних слоях с весьма малым изменением технологии ( и как бы цены ?).

А так ли это на самом деле? Хотелось бы знать мнение Ваших технологов.
Потому что связываться с двумя базами и классическими глухими переходными отверстиями пока как-то не хочется.

Сообщение отредактировал sinc_func - Jun 13 2013, 18:37

[Шестилапый]

Процитирую статейку по этому поводу

Стоимость МП при изготовлении глухих отверстий сверлением на глубину минимальна, т.к. оно выполняется после общего прессования платы (прессование платы является самой дорогостоящей операцией в процессе изготовления МП). Но наряду с этим преимуществом, метод имеет ряд недостатков. Качество металлизации глухих отверстий при данной технологии очень критично к соблюдению коэффициента отношений диаметра отверстия и толщины. Это означает, что диаметр глухих отверстий должен быть не менее их глубины. Во-вторых, снижаютсятрассировочные возможности платы, поскольку размеры глухих переходных отверстий обычно получаются больше, чем допустимо для минимальных сквозных отверстий (например, 0,2 мм). В-третьих, сверловка имеет погрешность не только в отношении координат позиционирования готовых отверстий или их диаметров, но также имеется погрешность соблюде ния глубины сверления. Для отверстий выполняемых сверлением на заданную глубину, эта погрешность составляет величину порядка ±0,15 мм (рис.2).
Кроме того, надо учитывать некоторую минимальную длину режущей части сверла и допуски на толщину диэлектрика и слоев меди (порядка ±10%). Суммарный допуск "запаса" толщины материала, предотвращающий замыкание соседних сигнальных слоев, может достигать 0,2 мм и более. Поэтому толщина диэлектрика, следующего за слоем, до которого сверлятся глухие отверстия, не должна быть менее 0,25 мм.
Уменьшенная толщина диэлектрика приведет к увеличению брака при изготовлении МП и, следовательно, к увеличению их стоимости. Теоретически, это допустимо в случае изготовления прототипных плат, т.к. их делают в единичных количествах, но для серийных МП уменьшенная толщина диэлектрика недопустима.