Косяки трассировки DDR3 Опции

[KostyantynT]

Добрый день.

Неделю ковыряю плату с DDR3 разведеную китайцами по рефренсу. Все симптомы неустойчивой работы памяти, те тесты памяти в загрузчике проходят, но только даешь нагрузку процу (2 процессора+ медиа процессор), валятся сегментэшини и усе виснет. Питание ядра вычистил по полной, ни пульсаций, ни особых шумов.

Предыстория платы такая, 4 слоя, сигнальные слои наружные. Китайцы взяили реф, все что касается трассировки DDR3 - скопипастили. Только в рефе во внутреннм питающем слое, все что находтся под DDR3 сигналами - один
потенциал - питание DDR3 (1,5 вольта). У китайцев - разорваный полигон и их пресекают плейны 1 вольт - ядро,12 вольт - основное питание, 3,3 вольта- питание периферии. На цветной картинке (китайская разводка)

1. Синий - 1.5В питание DDR3
2. Зеленый -12В основное питание.
3.Красные полигоны - 1В ядро и 3.3 вольта - периферия.

На второй картинке (черен-белая) - референс. Центральный полигон - питание DDR3. Есть подозрение, что из-за этого память сбоит. Что народ думает по этому поводу?


Приложил файл, как идут сигнальные линии DDR3 над полигонами (у китайцев).

Эскизы прикрепленных изображений

 

[Restinstage]

2КонстантинТ
В чем просчитываете, в Batch Simulation?
Какие у вас мин зазоры между трассами? В одном ли слое находится адрес и данные?
В любом случае зазор нужно сделать не менее 3w на таких частотах, а если выравниваете тромбонами,
то и в тромбоне такой же зазор.
Я создавал тут тему насчет Batch Simulation, но на самом интересном она утухла. Мне тоже интересно, можно ли
полностью доверится тому что он выдает (если, конечно, все заведомо верно настроил).