реклама на сайте
подробности

 
 
> Почему с помощью вольтметра нельзя измерить встроенный потенциал p-n перехода?
SamuraY
сообщение Jul 20 2013, 15:12
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 93
Регистрация: 5-03-07
Из: Киев
Пользователь №: 25 900



Здравствуйте.
Объясните пожалуйста почему с помощью вольтметра нельзя измерить разность потенциалов, создаваемую областями пространственного заряда (ОПЗ) внутри p-n перехода? В книгах по твердотельной электронике есть формулы для вычисления этой разности потенциалов и приводится объяснение процесса образования ОПЗ, но если подключить вольтметр к диоду не включенному в электрическую цепь, вольтметр покажет 0 вольт, а не упомянутую разность потенциалов.
В книге "Integrated electronics: analog and digital circuits and systems" Millman, Halkias этот феномен объясняется в двух словах - якобы металлические контакты к p и n областям создают невыпрямляющие переходы, которые и компенсируют внутреннее поле p-n перехода, если к нему не подключен источник внешнего смещения. Однако хотелось бы получить более детальное объяснение, чтобы понять явление в деталях. Буду благодарен за объяснение или за отсылку к литературе где этот вопрос подробно описан.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
Aner
сообщение Jul 20 2013, 19:53
Сообщение #2


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 869
Регистрация: 28-02-08
Из: СПБ
Пользователь №: 35 463



1) уясните, что в диоде нет источника ЭДС, за исключением тепловых шумов.
2) положительные и отрицательные ионы в области pn-перехода, пространственно разнесенные не как не могут быть источником ЭДС.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SamuraY
сообщение Jul 20 2013, 20:02
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 93
Регистрация: 5-03-07
Из: Киев
Пользователь №: 25 900



Цитата(Aner @ Jul 20 2013, 22:53) *
1) уясните, что в диоде нет источника ЭДС, за исключением тепловых шумов.
2) положительные и отрицательные ионы в области pn-перехода, пространственно разнесенные не как не могут быть источником ЭДС.

Но в учебниках по твердотельной электронике пишут, что эти положительные и отрицательные ионы даже при отсутствии внешнего смещения создают в области p-n перехода разность потенциалов (потенциальный барьер) и электрическое поле, которое препятствует диффузии основных носителей и переносит неосновные носители из одной области в другую. Правильно? Почему это внутреннее поле не является источником ЭДС? Оно же создает дрейфовый ток неосновных носителей из одной области в другую.

Сообщение отредактировал SamuraY - Jul 20 2013, 20:02
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Aner
сообщение Jul 20 2013, 21:00
Сообщение #4


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 869
Регистрация: 28-02-08
Из: СПБ
Пользователь №: 35 463



QUOTE (SamuraY @ Jul 20 2013, 23:02) *
... Почему это внутреннее поле не является источником ЭДС? ...

Почему, почему, ... по определению что является источником ЭДС. Просто почитайте и подумайте почему.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SamuraY
сообщение Jul 20 2013, 21:27
Сообщение #5


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 93
Регистрация: 5-03-07
Из: Киев
Пользователь №: 25 900



Цитата(Aner @ Jul 21 2013, 00:00) *
Почему, почему, ... по определению что является источником ЭДС. Просто почитайте и подумайте почему.

Да, эт я ошибся, прошу прощения. Внутри неосвещенного p-n перехода эдс нет, но напряжение даже при отсутствии внешнего смещения есть. Почему вольтметр не показывает это напряжение?
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 11th August 2025 - 22:08
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01406 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016