Почему с помощью вольтметра нельзя измерить встроенный потенциал p-n перехода? Опции

[SamuraY]

Здравствуйте.
Объясните пожалуйста почему с помощью вольтметра нельзя измерить разность потенциалов, создаваемую областями пространственного заряда (ОПЗ) внутри p-n перехода? В книгах по твердотельной электронике есть формулы для вычисления этой разности потенциалов и приводится объяснение процесса образования ОПЗ, но если подключить вольтметр к диоду не включенному в электрическую цепь, вольтметр покажет 0 вольт, а не упомянутую разность потенциалов.
В книге "Integrated electronics: analog and digital circuits and systems" Millman, Halkias этот феномен объясняется в двух словах - якобы металлические контакты к p и n областям создают невыпрямляющие переходы, которые и компенсируют внутреннее поле p-n перехода, если к нему не подключен источник внешнего смещения. Однако хотелось бы получить более детальное объяснение, чтобы понять явление в деталях. Буду благодарен за объяснение или за отсылку к литературе где этот вопрос подробно описан.

[Smoky]

Эта разность потенциалов действует локально только внутри контакта (перехода) полупроводников различной проводимости и измерить её невозможно. Можно только математически рассчитать по некоторым параметрам специальными программами создания моделей полупроводниковых компонентов.