Цитата(Proffessor @ Aug 13 2013, 16:53)

СВЧ транзистор, как правило, вышибается за один период усиливаемого колебания. По идее время реакции защиты должно быть не более четверти периода усиливаемого сигнала, а это 5ns. Можно предположить, что источник тока должен быть построен на базе СВЧ-транзисторов. Раз есть запас по мощности, можно попробовать поставить в цепи стока (после развязки) последовательный мощный ограничивающий резистор.
Откуда информация про четверть периода? А если будет усилитель на 10Гиг, то тоже нужно ограничивать в четверть периода? Мне Ваши выводы неясны. Я почему то думал, что в моём случае нужно, чтоб кристалл не перегрелся и тепловой пробой не получил. Но я не уверен. Поясните пожалуйста.
А по мощности я неправильно выразился:
Запас по мощности у транзистора есть (Я забираю 20Вт СВЧ мощности при КПДтранзистора-50%, а максимальная мощность рассеивания транзистора 45Вт. Максимальный ток стока 5А).
Запаса по мощности и запаса по КПД у
блока нет. Ухудшать КПД блока при помощи резистора в стоке не могу.
Как оценить какое время срабатывания защиты необходимо? Есть какая нибудь рекомендация или пояснения почему именно столько