О стандартных ячейках Опции

[BarsMonster]

1) В книгах и на практике (по крайней мере в старых микросхемах) - приходится видеть, что между рядами стандартных ячеек - пустое пространство для трассировки.
Почему не сдвигали ряды, и не роутили поверх ячеек? Не хватало металлов?

Вот например с КМОП 1200нм:


На современных 180-110нм чипах - приходилось видеть уже "сдвинутые" ряды.

2) Если смотреть на современные стандартные ячейки на уровне полисиликона: (~180-250nm)


Правильно ли я понимаю, что тут вертикальные линии - это по-очередно GND и VCC, а ряды стандартных ячеек в соседних столбцах - зеркально отражены?
Я смотрю на чуть более "широкие" P-канальные транзисторы - они всегда по обе стороны от одной вертикальной линии.

Почему питание - по полисиликону, а не металлу? У него ведь сопротивление больше. Его регулярно шунтируют металлом?
Или тут приходится выбирать"меньше сопротивление контакта / меньше сопротивление проводника"?

[TiNat]

Его регулярно шунтируют металлом?

Шины ПКК, как и активную диффузионную область, для описанной Вами проектной нормы (180-250нм) принято покрывать сверху силицидом металла (например силицид титана TiSi2). Это снижает сопротивление до 3-5 Ом на квадрат. Такое сопротивление на 2 порядка больше сопротивления металла, но все же это и не 100-500 Ом, как было бы без силицида.