Расчет ps, pd в моделях МОП-транзисторов Опции

[TiNat]

Добрый день. Возник вопрос следующего характера: как правильно рассчитывать передаваемые на моделирование периметры стока и истока МОП-транзистора ps, pd (низковольтный классический КМОП , nmos со стандартной полосковой геометрией). Казалось бы это две ширины транзистора плюс два размера области под контакт.

НО: в некоторых PDK и в правилах LVS, и в расчете этих параметров для моделирования суммируются лишь ОДНА ширина + два размера под контакт (в частности xfab). Плюс к этому в документации spectre (файл spectremod.pdf) для приведенной формулы учета периметра стоковой области также показан вариант с только тремя сторонами прямоугольника.

Соответсвенно некоторые (но не все из тех, что я видел) фабрики используют именно вариант с тремя сторонами. Другие же учитывают 4 стороны. Возможно, тут все очевидно, но я не понимаю. Хотелось бы разобраться. В частности, область применения как одного, так и другого варианта расчетов.

Заранее спасибо.

Сообщение отредактировал TiNat - Sep 11 2013, 15:58

[TiNat]

Все-таки возможно Вы не совсем правильно поняли вопрос. Ссылка на XFAB была просто "к слову".

Ошибки расчета периметров и площадей будут

Не будут. Внимательно почитайте мои предыдущие посты и внимательно посмотрите spice-модели.

Вопрос остается открытым.

[Jurenja]

Ошибки расчета периметров и площадей будут

Не будут. Внимательно почитайте...

В случае четного количества затворов количества стоков и истоков будут разными, поэтому будут также разными их площади и периметры. В (ваших) формулах это не предусмотрено.

[TiNat]

В случае четного количества затворов количества стоков и истоков будут разными, поэтому будут также разными их площади и периметры.

С этим я согласен. Сразу не так Вас понял. Делаю сам что-то типа PDK. Равное и неравное количество истоков я учел. И периметр я рассчитывал по 4 сторонам. Потом посмотрел XFAB и всю транзисторную библиотеку переделал по причине: "на XFAB умные люди работают". Теперь задумался, в чем фишка расчета периметра у XFAB. Задал вопрос на форуме. До сих пор ответа не нашел, а снова переделывать транзисторы не хочется.

Сообщение отредактировал TiNat - Sep 17 2013, 18:45

[Jurenja]

... Делаю сам что-то типа PDK. Равное и неравное количество истоков я учел. И периметр я рассчитывал по 4 сторонам. Потом посмотрел XFAB и всю транзисторную библиотеку переделал по причине: "на XFAB умные люди работают"...

Если ваши формулы считают правильно, но в XFAB-овском ките они не такие как у вас, то это значит что "умные люди на XFAB-е" ошиблись имхо. Надеюсь что версия до переделки у вас сохранилась и ее можно быстро восстановить.

PS. Вообще-то вклад емкостей p-n-переходов стоков/истоков в, например, задержки цифровых элементов составляет 20...30%. Причем, для типового лэйаута транзистора (одиночного или многосекционного), емкость периметра намного меньше емкости дна стока/истока. Поэтому ошибка XFAB-а в расчете периметра очень мало влияет на точность моделирования задержек. Ошибка в расчете площади влияет заметнее, но при проектировании стараются не заставлять работать цифровые элементы в режимах с предельным быстродействием, поэтому на заметную разницу предельного быстродействия модели и изготовленных кристаллов обычно не обращают внимания.