Что это такое в IO-паде?, И, главное, зачем? Опции

[SM]

Вот разбирал данную мне библиотеку IO падов. Хочу для экономии места сделать IO-пад с мощным выходным каскадом операционника, тем более что питать его буду от отдельного питача. Как раз место по логике вещей ему там. И наткнулся на совершенно непонятную мне хреновину. ПАД для передачи сигнала снаружи внутрь как он есть (без буферов). Из части падов для цифровых сигналов (для аналоговых там тоже есть, но они отдельно, там шины питаний по-другому называются). Ну эту часть пада, основную, я приводить не стал, там все просто, два полевика жирных на защиту от статики. А все остальное место (много больше ESD-защиты) занимает ВОТ ЭТО:



Вопрос - ЧТО ЭТО? И зачем оно? vdd/vss это питание IO. Ширина полевика между VCC и VSS 2560 "минималок", длина - единичка! Просветите плиз начинающего в IO-падо-строении....

[zzzzzzzz]

Кому интересны подобные конструкции, - посмотрите книжки по ESD. На фтп есть. Там столько хрени понасочинял народ! Прежде чем применять подобное, нужно "десять раз отмерить", - иначе готовиться к сюрпризам...
Предлагаемая схема имеет место быть - НО она ничем не лучше конденсатора по питанию. А чаще всего (при неоптимальной конструкции) - опасна. Например, сбоями из-за просадок питания или запуском схем типа brown-reset.

Естественно, "практика - критерий истины". И окончательным ответом может быть только результат испытаний схемы на ES.
Давно ли Вам приходилось исполнять такие испытания?

Могу немного пояснить, откуда растут "ноги" - в субмикронных процессах напряжение смыкания транзисторов часто выше напряжения пробоя подзатворного окисла. Поэтому обыгрывается идея использовать скоростные характеристики транзисторных ключей на "открывание" в момент защиты.
Однако, такие схемы требуют тщательного моделирования, и в случае "промаха" в расчетах не только не защищают от статики, но и могут служить причиной многих неприятных эффектов. Например, "тиристорного эффекта"- ток замыкания такого здоровенного ключа нешуточный, - и если паразитный тиристор имеет в базах транзисторов сопротивления недостаточно низкоомные для протекающих токов - он откроется.Хуже этого ничего со схемой не бывает - отгорают шины....

Ну и добавлю еще немного инфо - правильно спроектированная ES защита на диодах и резисторах имеет 2500В - верхний предел по Российскому ОСТу.
Больше нужно только при использовании длинных несогласованных линий с большими "биениями" или защите от молний, мощных импульсных наводках и т.п.. Некоторые импортные производители лукавят в этом вопросе, соблазняя потребителя значениями 4КВ, 10КВ, 16КВ и даже я видел 25КВ. Нужно посмотреть (если удастся) в методику измерения таких величин - все станет ясно. Так как защита реализуется путем поглощения некоторого количества энергии статического заряда. А количество энергии, которую можно рассеять в разумном для кристалла объеме (без разрушения конструкции защиты) примерно одинаково для любых чипов.

Успехов!