Stepdown DCDC 60A Опции

[Sh@dow]

Хочу собрать сабж на основе контроллера LTC3861.
Схему взял из даташита. Вот она:



Проблема с MOSFET транзисторами. Достать их я не могу и поэтому хочу заменить на аналог.
В схеме верхний транзистор выбран на 58A а нижний на 100 A. Почему разные максимальные токи стока не понимаю?

Остановился на PSMN1R2-25YLC транзисторе как заменитель BSC010NE2LS.
И на транзисторе CSD16323Q3 как заменитель BSC050NE2LS

Подобрал по току стока и по заряду затвора. До конца не уверен что только эти параметры играют роль.
Не понятно как правильно сравнить заряды затвора для обоих транзисторов.

Пример:

CSD16323Q3 : Заряд :8.4nC при VDS = 12.5V, ID = 24A Vgs = 4.5V
BSC050NE2LS: 10.4nC при VDS=12 V, ID=30 A, VGS=0 to 10V

Емкости замеряны при немного разных условиях.

[Sh@dow]

Перешел на меньший ток (нагрузка).

Решил замерить напряжение на входе камперетора (обратная связь).
Вот осциллограма (делитель 1:10)



Мерял между входами компаратора VSNSP1 и VSNSN1.
Присутствуют шумы с амплитудой 0.4 V а сигнал 0.6 V.

Замерил так-же PWM на выходе контроллера. Поставил infine persist.
Вот с разных фаз:




В другой фазе ШИМ сильно дергается. Возможно это из за шумов в обратной связи?

судя по Вашей осциллограмме, происходит возбуд на высокой частоте. Это может быть по причине неправильной разводки. Вы бы выложили рисунок платы.

Подозреваю что что-то с разводкой а понять не могу.

Вот выложил рисунок. Плата двухсторонняя.

Верх:



Слева разьем. С него идут полигоны +12 V (на транзы и через индуктивности на полигон справа (выход).
Чип окружен землянным полигоном. И такой-же снизу. Слева направа удут два полигона питания для драйверов MOSFET.

Низ:



Тут одни землянный полигоны. Все сходятся в одну точку у разьема питания.