Цитата(SM @ Jan 11 2014, 19:56)

Обратите внимание на качество VREF - у меня тут вот недавно не хватило каких-то 10 мкф емкости по VREF (он генерировался резистивным делителем 2х270 Ом), глючило. Диагностика была простой - кол-во глюков возрастало с уменьшением импеданса терминирования по ODT (который по EMRS задается) - признак этого был таков, что ошибки были в том числе битовые, то есть в одном слове порченные отдельные биты (если глюки по DQS, то обычно происходит сдвижка на дно слово целиком).
Еще - чистоту VCCAUX, оно должно быть отдельно отфильтровано, оно тоже дает такие сбои, так как питает SSTL-компараторы.
Резисторы последовательные по клокам полезны.
Ещё неплохо бы поглядеть как ведёт себя VTT. Только смотрите этот сигнал не на выходе микросхемы, которая его генерит, а на резисторных сборках.
По краям сборок неплохо бы повесить парочку кондёров из low ESR 10-47 uF + 0402 100 pF. Это всё нужно для борьбы с провалами на VTT - там токи приличные текут.
Ещё интересно включен ли у вас ODT в управляющем регистре - это обычно при генерации коры указывается.
Кроме того интересно какой у вас в данной топологии слоёв рассчётный импеданс дорожек. Судя по терминаторам должно около 40 Ом быть.
По методе вычисления проблемы ещё неплохо бы локализовать где данные бьются - на записи или на чтении.
Для этого можно один раз записыать, а потом много раз считать, при чём неплохо бы считаывать по-разному, т.е. к примеру поиграть адресами.
Если результаты будут отличаться - то скорее всего сбоит чтение, если нет - то с большой вероятностью запись.