Вопрос по регенерации в SDRAM Опции

[Geymur]

Здравствуйте,
Так ли необходимо проводить циклы автоматической регенерации строк SDRAM каждые 64мс если система гарантирует корректное обращение к каждой строке (по записи или чтению) за меньшее время ? Помнится, для FP DRAM такой вопрос не стоял. Достаточно было простого перебора строк (RoR). В документации на микросхему предписывается обязательное проведение циклов регенерации.

Поясню ситуацию. Делаю кольцевой буфер на SDRAM от Micron. Эти приборы поддерживают независимую работу всех 4 банков (не закрывая банк можно активировать другие).
Частота следования данных - 100 МГц, частота SDRAM - 100 МГц. При условии чередования банков и длине burst 4, можно обеспечить запись информации в каждом такте. Причем, каждый burst будет направлен в следующую строку.

Все замечательно, но циклы REFRESH портят всю картину. Придется увеличивать частоту SDRAM (задействовать еще 1 PLL), городить FIFO, да и управляющий автомат усложнится в разы.

Спасибо заранее.

[ig_f]

Не хотел создавать новую тему, так что кину вопрос здесь...
Насчет 8ми команд рефреша подряд поясните пожалуйста. Память другая (INFINEON HYB25D25616BС]), но в доке есть подобное:

The refresh addressing is generated by the internal refresh controller. This makes the address bits “Don’t
Care” during an Auto Refresh command. The 256Mb DDR SDRAM requires Auto Refresh cycles at an aver-
age periodic interval of 7.8 us (maximum).
To allow for improved efficiency in scheduling and switching between tasks, some flexibility in the absolute
refresh interval is provided. A maximum of eight Auto Refresh commands can be posted in the system,
meaning that the maximum absolute interval between any Auto Refresh command and the next Auto Refresh
command is 9 * 7.8 us (70.2 us). This maximum absolute interval is short enough to allow for DLL updates
internal to the DDR SDRAM to be restricted to Auto Refresh cycles, without allowing too much drift in t AC
between updates.

Первый и второй абзац как-то не стыкуются...
Я слабо понял, как это трактовать и как использовать. То есть даешь команду авторефреш и далее в течении 70.2 мкс творишь с данными что хочешь?
В первый раз с динамической памятью разбираюсь, так что наставьте на верный путь)

[SM]

Насчет 8ми команд рефреша подряд поясните пожалуйста.

Об этом в JESD написано...

When the refresh cycle has completed, all banks of the DDR2 SDRAM will be in the precharged (idle) state. A delay between the Refresh command (REF) and the next Activate command or subsequent refresh command must be greater than or equal to the Refresh cycle time (tRFC).
To allow for improved efficiency in scheduling and switching between tasks, some flexibility in the absolute refresh interval is provided. A maximum of eight Refresh commands can be posted to any given DDR2 SDRAM, meaning that the maximum absolute interval between any Refresh command and the next Refresh command is 9 * tREFI.

Можете давать одну команду регенерации один раз в tREFI, а можете подряд напихать ей в конвейер до 8-ми регенераций с интервалом tRFC, а следующую пачку регенераций давать через N*tREFI.