Создание компонента Microcap на основе имеющегося, нужна помощь в задании параметров Опции

[evilblonde]

Начал работать с Microcap, столкнулся с одной трудностью - чрезвычайно трудно, а подчас и невозможно, найти русские компоненты в библиотеках.
Хотелось бы научиться создавать компоненты на основе имеющихся, меняя их параметры с самом Microcap'e, не имея дела со Spice-моделями.

Кто-нибудь может пояснить на примере, как из компонента $GENERIC получить что-нибудь похожее на нужный мне компонент? Какие параметры менять, если о нужном нам элементе известны лишь основные параметры?
Мне нужно промоделировать транзистор из сборки 2тс622а.

Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС622А:
• Структура транзисторной сборки: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,25 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 120 нс

Что тут поменять? С английским не дружу почти, поэтому понимаю мало. Учусь как могу.



Буду признателен за любую помощь.

[Guest_TSerg_*]

Прекрасно.
Вот и сделайте конвертацию из параметров по справочнику в параметры spice-модели для вполне примитивного КТ315, к примеру Б.

Приведите здесь Ваши выкладки и благодарные потомки будут ласкать Ваши уши хвалебными пестнями.

P.S.
Дабы было понятно - в Микрокап есть визард создания типовых моделей полупроводниковых приборов.
Только вот какой проблем, там требуются данные измерений, а вовсе не справочников.
И уж во всяком случае - мощность, ток, тип корпуса, тепловое сопротивление, предельное напряжение и цоколевка к spice-модели не имеют никакого отношения.

P.S.
Кстати, таки отыскал модель заявленной сборки. Применять на свой страх и риск.

.model 2TS622A PNP(Is=2.304f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=78 Bf=91.15 Ne=1.406
+ Ise=53.59f Ikf=2.65 Xtb=1.5 Br=.7955 Nc=2 Isc=53.5f Ikr=1.3 Rc=1.2
+ Rb=18.8 Cjc=39.2p Mjc=.4446 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=23.31p Mje=.201 Vje=.75
+ Tr=150.8n Tf=313.9p Itf=2.5 Vtf=40 Xtf=1.5)

P.P.S.
По сборке 2ТС3103* - более-менее честная модель.
Многие симулированные схемы, в составе которых были эти сборки, показали хорошее совпадение с реальностью.

[skyv]

...
Вот и сделайте ...

А что еще мне сделать за Вас.
Вы считаете, что моделирование это взять непонятно откуда на свой
страх и риск элемент и промоделировать непонятно что и для чего.
Результаты такого подхода удовлетворят радиолюбителя и сомневаюсь, что они приемлимы
для профессионала и тем более для разработчика аппаратуры.
Поясню кратко для ясности.
Схему или функциональный узел недостаточно моделировать в номинальном режиме.
Необходимо определиться с возможным худшим сочетанием параметров
элементов схемы и их влиянием на режим работы устройства.
Пассивным элементам для расчета худнего случая просто задают предельные значения в соответствии
с допусками (технологическими, временными, температурными и т.п.).
Сложнее с моделями. Здесь надо выбрать элемент с худшим
сочетанием параметров и получить для него соответствующие параметры модели.
Например, при определенном токе базы насыщения из ТУ имеем диапазон допустимых значений
Uб-э нас. И для одной схемы необходимо взять для худшего случая наименьшее значение Uб-э нас, а для другой
схемы наоборот наибольшее.
Какое значение брать в каждом конкретном случае должен уметь определить разработчик
или хотябы иметь желание этому учиться.
Моделирование такой схемы даст более достоверные результаты. К чему собственно и стремимся.

[Guest_TSerg_*]

Много букв и по буквам отвечать лень.

- справочные данные ( даташиты и справочники ) - это больше для использования в расчетах: ручном или специализированном софте;
- спайс-модели - это ни разу не ручной расчет, это для компьютерного моделирования, т.е. подгонка, возможно - оптимизация (зависит от спайс-софта);
- из точечных справочных цифр спайс-модель не построить, нужны "кривули", а это - только измерение;
- моделирование позволяет сделать параметрическую оценку режимов работы ( стат. разброс параметров, влияние среды и т.п.), что и является большим плюсом этого метода.

2DSIoffe
Адекватная модель для сборок 2ТС3103* (несмотря на старизну, пользуюсь ими в любительских целях - качественный штука)

.model TS3103A1 PNP(Is=449.1E-18 Xti=3 Eg=1.11 Vaf=63.25 Bf=137.7 Ne=3.148
+ Ise=98.79p Ikf=.1065 Xtb=1.5 Var=42.2 Br=.9704 Nc=2 Isc=1.12f Ikr=.251
+ Rb=56 Rc=6.7 Cjc=3.721p Vjc=.75 Mjc=.33 Fc=.5 Cje=1.8p Vje=.69 Mje=.33
+ Tr=56.41n Tf=73.23p Itf=45m Vtf=15 Xtf=2)

.model TS3103A2 PNP(Is=566.4E-18 Xti=3 Eg=1.11 Vaf=63.8 Bf=138.9 Ne=3.136
+ Ise=112.3p Ikf=.1211 Xtb=1.5 Var=42 Br=2.336 Nc=2 Isc=2.563p Ikr=.251
+ Rb=63 Rc=8.3 Cjc=3.721p Vjc=.75 Mjc=.33 Fc=.5 Cje=1.812p Vje=.69
+ Mje=.33 Tr=24.66n Tf=81.76p Itf=.134 Vtf=15 Xtf=2)