Sam4N, Расположение массива во флэш памяти по заданному адрессу Опции

[Vata1990]

Добрый день. Возник следующий вопрос, как в Atmel Studio 6 расположить массив в флэш памяти по определенному адресу. С расположением массива просто в флэш памяти я разобрался, а вот по определенному адресу никак не получается.

[kan35]

const int array[100]@0x0100000 = {0, 1, 2, 3};
KEIL и IAR это должны схавать без проблем, проверяли такую конструкцию?

Сообщение отредактировал kan35 - Apr 26 2014, 04:55

[Vata1990]

const int array[100]@0x0100000 = {0, 1, 2, 3};
KEIL и IAR это должны схавать без проблем, проверяли такую конструкцию?

К сожалению такой код в студии не компилируется(((

1. Создать свою секцию посредством редактирования скрипта линкера или аргументом.
2. С помощью атрибута секции поместить ваши данные в эту секцию.

HINT: студия использует компилятор gnu-gcc, gnu-linker ... (набор gnu-binutils).
Читайте на них доки - там есть 99.999 ответов на все вопросы...

А вы не могли бы привести простенький пример. Со вторым пунктом я разобрался, а вот с первым никак не получается

[demiurg_spb]

А вы не могли бы привести простенький пример. Со вторым пунктом я разобрался, а вот с первым никак не получается

Вот кусок скрипта линкера, в котором я добавляю секцию .section_eeprom_flash размером 2К в конец flash-памяти:

Код

MEMORY
{
    FLASH (rx)         : ORIGIN = 0x08000000, LENGTH = 254K
    EEPROM (rx)        : ORIGIN = 0x0803f800, LENGTH = 2K
    OPTIONS_BYTES (rx) : ORIGIN = 0x1FFFF800, LENGTH = 16
    RAM (xrw)          : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 64K
}
...
SECTIONS
{
    .section_eeprom_flash :
    {
        . = ALIGN(256);
        _section_eeprom_flash = .;
        KEEP(*(.section_eeprom_flash .section_eeprom_flash.*))
        . = ALIGN(256);
    } >EEPROM = 0xffff
    ...
}

А вот так использую в исходниках:

Код

#define EEPROM_SECTION __attribute__ ((used, section(".section_eeprom_flash")))
typedef struct
{
    ...
} eeprom_t;

const eeprom_t EEPROM_SECTION eeprom_flash =
{
    ...
};

У этого метода есть недостаток - заливать прошивку приходится дольше, т.к. у меня не получилось сформировать elf "с дырами", кроме как таким способом:

Код

#if NDEBUG
#    define EEPROM_SECTION __attribute__ ((used, section(".section_eeprom_flash")))
#else
#    define EEPROM_SECTION __attribute__ ((used, aligned (FLASH_PAGE_SIZE)))
#endif

Убираю дыру, притягивая секцию еепром к секции текст при отладочной сборке (мой основной режим компиляции - DEBUG, а релизы достаточно редки).
Если кто знает более прямое решение - с удовольствием перейму опыт.