Пробой MOSFET в конверторе, пробой одного верхнего ключа Опции

[Lelikk]

Всем привет)

Долго колупаемся с одной проблемой, помогите. Есть схема (полный мост) который драйвит первичную (низковольтную) обмотку повышающего сетевого трансформатора, формируя сигнал в форме синуса 50Гц. Частота ШИМ - 25кГц, напряжение 100В, номинальный ток 4А. В норме схема работает исправно, существенные выбросы, звоны и прочее отсутствуют во всех ключевых точках моста.
При непонятный и трудновоспроизводимых условиях выходит из строя верхний транзистор в одном плече (всегда один и тот же). Причем выходит практически молча, без дыма (просто звонится сток-исток и транзистор медленно греется так как запитан от источника с ограничением до 5А). Все транзисторы нижних плечей целые и неповрежденные.
Сами транзисторы c запасом IRF4229 на 250В.
Такое подозрение, что транзистор пробивается каким-то импульсом, либо умирает его паразитный диод, но вот отчего - непонятно. Так как ток в обмотке транса разгоняется, то при его реверсе часть времени ключи переключаются при обратном, либо нулевом напряжении сток-исток, но как это влияет - непонятно.

Кусок схемы с полумостом и фрагмент топологии платы (могу выложить саму топологию в формате Altium Designer)

[Lelikk]

Мост управляется от сигнального контроллера, поэтому скважность ШИМ надежно ограничена величиной 95%.
В принципе, ток через встроенные антипараллельные диоды течь не должен, так как коммутация моста всегда осуществляется по схеме: либо открыта одна из диагоналей, либо торможение тока через нижние ключи, диоды могут работать лишь на несколько сотен нано во время deadband при переключении ключей полумоста.
Выход моста непосредственно подключен на обмотку трансформатора без фильтрующих конденсаторов, так как транс обеспечивает и сам очень хорошее подавление 50кГц ШИМ и на вторичной обмотке его следов практически нет.
На текущий момент наиболее вероятная причина - пробой транзистора высоковольтной наводкой со вторичной обмотки, возможно через межобмоточную емкость (третья обмотка-экран трансформатора не была надежно заземлена). На верхние транзисторы поставлены сапрессоры и вроде схема успокоилась.
Хотя поймать осциллографом выброс так и не удалось

[Oxygen Power]

Мост управляется от сигнального контроллера, поэтому скважность ШИМ надежно ограничена величиной 95%.
В принципе, ток через встроенные антипараллельные диоды течь не должен, так как коммутация моста всегда осуществляется по схеме: либо открыта одна из диагоналей, либо торможение тока через нижние ключи, диоды могут работать лишь на несколько сотен нано во время deadband при переключении ключей полумоста.
Выход моста непосредственно подключен на обмотку трансформатора без фильтрующих конденсаторов, так как транс обеспечивает и сам очень хорошее подавление 50кГц ШИМ и на вторичной обмотке его следов практически нет.
На текущий момент наиболее вероятная причина - пробой транзистора высоковольтной наводкой со вторичной обмотки, возможно через межобмоточную емкость (третья обмотка-экран трансформатора не была надежно заземлена). На верхние транзисторы поставлены сапрессоры и вроде схема успокоилась.
Хотя поймать осциллографом выброс так и не удалось

Пауза при переключении транзисторов все-таки есть. Не плохо бы нагрузить высоковольтную обмотку на RC демпфер.

[Lelikk]

Пауза при переключении транзисторов все-таки есть. Не плохо бы нагрузить высоковольтную обмотку на RC демпфер.

Она уже и так нагружена шунтом, с которого оцифровывается напряжение.

[Oxygen Power]

Она уже и так нагружена шунтом, с которого оцифровывается напряжение.

Нагрузка должна быть соизмерима с током хх трансформатора и подключена непосредственно к обмотке.

Сообщение отредактировал Oxygen Power - May 19 2014, 06:52

[Lelikk]

Нагрузка должна быть соизмерима с током хх трансформатора и подключена непосредственно к обмотке.

Практически туда она и подключена, транс фактически измерительного типа, ток ХХ не превышает 50мА в первичной