Здесь:
http://www.eetimes.com/author.asp?section_...;doc_id=1320561говорится следующее:
Сбой ПЛИС, как правило, вызывается высокоэнергетической частицей, ионизировавшей области затворов транзисторов триггера и вызвавшей этим его переключение в противоположное состояние. Фирмы Xilinx, Microsemi выпускают ПЛИС малочувствительные к таким сбоям. И поэтому их применяют в космических аппаратах. Также такие ПЛИС могут накапливать большие дозы радиации до своего отказа.
Как оказалось, с уменьшением проектных норм уменьшается чувствительность к радиации. Так, при переходе от 45 нм ПЛИС к 28 нм ПЛИС чувствительность к сбоям прошивки уменьшилась вдвое .
Это объясняется тем, что уменьшается площадь, занимаемая триггером, и поэтому уменьшается вероятность попадания частицы в него, а не рядом.
Но с другой стороны, для повышения быстродействия уменьшают размеры транзисторов. А триггер с уменьшенными транзисторами легче перевести в другое состояние, и он сбоит чаще. Поэтому при указанном уменьшении проектных норм чувствительность к сбоям BlockRAM уменьшилась лишь на 20%. Поскольку триггеры в ПЛИС концентрируются в BlockRAM, эти блоки стали наиболее ответственными. Поэтому в Virtex-7 вставлены блоки, способные автоматически корректировать одиночные ошибки в байтах, считанных из памяти и детектировать двойные. В ПЛИС Stratix можно детектировать до трех ошибок и корректировать до двух.
Также в этих ПЛИС есть возможность сканировать прошивку и детектировать в ней ошибки и корректировать одиночную ошибку.
Для безошибочной обработки сбойной информации в ПЛИС можно применить тройное резервирование сконфигурированных модулей. Но тогда самой ответственной частью становится мажоритарная схема, выбирающая правильный результат.