Драйвер для p-chanel hexfet, Покритикуйте схему, пожалуйста Опции

[mempfis_]

Всем добрый день.
Необходимо сделать схему управления p-канальным полевым транзистором от логического уровня 3.3 вольта. Схема рассчитана на управление светодиодами с напряжением питания от 12 до 24х вольт (в идеале хорошо если будет работать от 6 вольт) и током потребления 2-3 ампера. Для управления яркостью планируется ШИМ (частота пока не известна, но вероятно не менее 100 Гц). Напряжение питания будет стабилизированное от импульсного источника питания необходимой мощности.

Я набросал схему драйвера. Есть одна особенность - цепь R5-R4-VT3-R3 исключить нельзя т.к. она физически будет располагаться на другой плате и не может быть изменена.
Поэтому вопрос по поводу критики схемы относится к компонентам R1-R2-VT2. Достаточно-ли такой цепочки? Или необходимо ещё чего добавить?
возможно существуют другие схемные решения.

HEXFET пока не выбран. Возможно IRF4905, но возможен выбор и другого транзистора с током 10-20 ампер.


Заранее спасибо за советы и рекомендации как по схеме, так и по выбору силового транзистора.

[Herz]

Резистору R2 Вы свободно можете сделать подтяжку с базы к питанию. Тогда при отсутствии управляющего сигнала он будет открыт.

[mempfis_]

Вобщем просмотрел я элементную базу, доступную на сегодня и нашёл другой полевик IRLR024, который подходит мне по всем параметрам.
VDSS = 55V
RDS(on) = 0.065
ID = 17A
Vgs(th) = 1-2 V
Что скажете о схеме управления?
Лично я не вижу каких-либо недостатков.

P.S. Напоминаю что светодиод на схеме это не единичный светодиод - это светодиодная сборка с фиксированным током потребления и напряжение питания!!!

[Herz]

RDS(on) = 0.065

Что скажете о схеме управления?
Лично я не вижу каких-либо недостатков.

Только обратите внимание, что в таблице RDS(on) нормировано для напряжений на затворе 5В и 4В и составляет (максимально) уже 0.1 и 0.14 Ом соответственно.
При Ваших 3 Вольтах получите ещё побольше, а с ростом температуры - ещё. Так что проверьте на макетке нагрев с максимальной нагрузкой, а то, например, экономия места под радиатор может быть неоправданной. Наверное, стоило поискать более низковольтный вариант с меньшим сопротивлением. Такой, например. Их там два в корпусе, можно соединить параллельно и получить очень низкое сопротивление. 30 Вольт ведь Вам хватит?
Да, и резистор подтяжки затвора к "земле" можно увеличить, если быстрого ШИМа не планируете.

[mempfis_]

Я рассматривал и сборки, но меня смущает корпус soic + 2-3 ампера потенциально потребляемого тока. Поэтому я остановился на дискретных транзисторах.
Я увеличу сопротивление резистора чтобы напряжение на затворе приближалось к 3,3 вольта.
Я проверю опытным путём как сильно они будут греться (по моим расчётам будет выделяться ~2 ватт при сопротивлении канала 0.2 ома и токе 3 ампера). При необходимости на корпус наклею небольшой радиатор.

Всем спасибо за участие. Займусь разводкой печатной платы.