Драйвер верхнего плеча Опции

[somebody111]

Поясните ньюанс. Полумостовая схема. Для открытия мосфета в нижнем плеча надо подать относительно общей точки напряжение U1 -это понятно. Если же брать мосфет в верхнем плече, в умных книжках(и никто не сомневается) пишут следующее: "чтобы открыть мосфет в верхнем плече на затвор надо подать напряжение на 10-15 вольт более чем на стоке". В Семёнове это объясняется приблизительно так: "Если открывать верхний мосфет при закрытом нижнем (он получается подвешен), то исток будет под потенциалом стока (минус падение напряжения Uси)". Это тоже понятно. Выводы:если сток верхнего мосфета висит на +600В, то после его открытия исток тоже будет под 600В. Соответственно, потенциал затвора для гарантированного открытия должно быть 600В(потенциал истока)+10..15В(Uзи).=615В. Чтобы получить такое напряжение используются различные схемы "накачки". Если я все правильно понял(поправьте,если не так - мне принцип нужно понять), то вопрос: если хочу гальв. развязку и для этого поставить импульсный транс, он 10-15В должен выдавать относительно истока верхнего мосфета, а относительно общей точки получается 10-15 Вольт плюс 600В? Т.е. обмотка должна выдержать 610-615В. А дальше (чисто гипотетически), если я поставлю оптрон вместо импульсника, он тоже должен выдержать эти же 610-615. Все правильно написал?
==
В прикрепленной картинке затвор оказывается под потенциалом 600В, а не 615. Я правильно понял, что это приведет к тому, что транзистор будет очень медленно открываться?

Сообщение отредактировал somebody111 - Aug 21 2014, 18:23

Прикрепленные изображения

 

[SM]

по приведенной схеме:

Для начала, транзистор очень быстро умрет от пробоя подзатворного диэлектрика, для которого максимально допустимое напряжение обычно от 10 до 30 вольт, а при открытии "управляющего" транзистора там окажутся почти все 600, как минимум, по причине наличия емкости истока, выходной нагрузки, и стока нижнего полевика.

А верхний резистор (точнее, потенциал на его верхнем выводе) не даст возможности верхнему транзистору остаться в активном режиме с повышением выходного напряжения. В результате, когда напряжение на выходе дойдет до некоего порога, зависящего от типа и экземпляра транзистора, а также выходного тока, канал транзистора насытится, и транзистор войдет в режим ограничения тока, в результате чего на нем будет совершенно не то падение напряжения, которое Вы ожидаете на его "миллиомах" активного режима. Для того, чтобы хорошо его открыть, чтобы он не насыщался раньше положенного, надо подать определенное положительное смещение на затвор, большее, чем напряжение на стоке. В общем, в текущей схеме с резистором - выходное напряжение, если даже транзистор почему-то не пробьется, будет всегда на сколько то вольт меньше, чем потенциал стока, на Vgs(th)+сколько_то_зависящее_от_тока_нагрузки.

Так что, скорость открытия, это самое меньшее из зол.