Большое спасибо за ответы.
Цитата
зависит от объемов памяти с которым необходимо оперировать. Чем больше линейно адресуемый объем - тем больше латентность. с этим сделать принципиально ничего нельзя, здесь всё упирается в предел технологии.
on-chip SRAM, ZBT/noBL, Late write/PBSRAM, QDR/QDR II+ SRAM, RLDRAM, DDR/DDR2/DDR3, SATA-диск наконец - у всех свои задержки на чтение.
У меня линейно адресуется 2МБ с трех микросхем памяти. Максимальная скорость, при использовании всей ширины шины: 126Мб.сек. Весь поток, грубо говоря, проходит через ПЛИС, которая тормозит его на 16ns и все данные приходят ровно через 1-о чтение.
Цитата
Кэш ?
Что самое интересное, кэш то же проходит через ПЛИС, и последнее так же притормаживает его.
Я заметил странность, когда я жестко конфигурирую ПЛИС на передачу только в одну сторону (чтение или запись), то критичной задержки нет, но стоит мне сделать ее порты двунаправленными - появляется задержка.
Возможно я что-то делаю не так.