Проясните о Self-resonant frequency Опции

[Dr.Alex]

Как можно охарактеризовать предельную частоту, до которой можно применять некий дроссель, если известна его SRF?
Ну типа "гораздо ниже SRF", "чуть ниже SRF", "несколько выше SRF" и так далее..

Естественно, требуется чтобы индуктивность на данной частоте была имено индуктивностью, а не непонятно чем..

[Genadi Zawidowsk...]

Как раз SRF это частота, на которой индуктивность компенсируется собственной емкостью. У Вас деталь в схеме, есть ещё влияние паразитных параметров монтажа и других участков схемы. А в чём проблема? даже в RFSIM99 можно задать наличие SFR у катушек и смотреть, что будет в схеме?
Скажем так, индуктивность детали никуда не девается и от частоты не зависит, надо учитывать соседей.

гораздо ниже SRF

Например, тут индуктивность никуда не девается, но реактивное сопротивление почти "0" - и радости не принесёт.

Если надо "затычку" - можно применить последовательно два-три дросселя с разной SFR, можно специальные компоненты под называнием RF CHOKE.

Сообщение отредактировал Genadi Zawidowski - Oct 1 2014, 21:35

[Dr.Alex]

Ну правда что ли никто не знает, зачем в доках приводится SRF??

Для определённости скажу, что интересуют индуктивности в десятки-сотни наногенри на частотах до 1ГГц..

[Prostograf]

Ну правда что ли никто не знает, зачем в доках приводится SRF??

Для определённости скажу, что интересуют индуктивности в десятки-сотни наногенри на частотах до 1ГГц..

Предыдущий оратор написал все правильно. А чтобы вы поняли сделайте следующие. Постройте две схемы. 1-я схема (идеальный случай) - это порт 1 связан с портом 2 и между ними индуктивность на землю ( ну скажем для примера 10 нГн). А вторая схема - это тоже самое только в параллель индуктивности добавлена емкость 0.1 пФ. И сравнивайте графики входных сопротивлений к примеру ( то есть мнимую и реальную части). И вы все поймете.

Для этого примера у вас получится должно, что в 1-й схеме с ростом частоты реальная часть сопротивления входного от 0 Ом на низких частотах приближается к 50 -ОМ, мнимая часть на малых частотах 0 на каких-то максимум и затем опять стремиться к 0 на высоких. Ну это и понятно, потому что индуктивность низкие частоты закорачивает, поэтому на низких частотах ноль и мнимая и реальная, а затем на высоких частотах индуктивность имеет высокий импеданс и никак не влияет на выходные 50-Ом. А вот во второй схеме на частоте приблизительно 5 ГГц произойдет переход мнимой части через ноль при этом реальная точно будет 50_Ом. Это произойдет потому что резонанс, а мы знаем, что у параллельного контура импеданс на резонансе очень большой, поэтому на 50_Ом ный порт выходной он не влияет.

А далее если вы не совсем глупы, то увидите сравнивая два графика, что такое SRF. И там же наглядно будет видно где работает ваша индуктивность, а где нет. И ьтам же можно прикинуть можно вам использовать индуктивность за пределами SRF или нет.

Если вы например используете ее как блокировку, то вам будет другой пример полезен. Все тоже самое только индуктивность подключается между портами 1 и 2. И смотрите, что на частотах до приблизительно до 2 ГГц ваша индуктивность ведет себя как идеальная, а далее у не резко начинает расти импеданс и вблизи резонанса ( 5 ГГц) он очень большой ( зависит от добротности катушки), а затем он меняет знак но остается большим. И на далее на высоких частотах стремится к нулю. Но стремится очень медленно, поэтому даже на частоте после SRF индуктивность можно использовать в качестве блокировки.

Поэтому все зависит от использование катушки. Например, блокировка это или катушка фильтра.

Надеюсь вам помогло. Если нет то вы безнадежны....

Сообщение отредактировал Prostograf - Oct 2 2014, 17:36