Цитата(blackfin @ Oct 2 2014, 22:19)

ИМХО, не верно..
1. Используя SRF и Q, вычисляете значения параметров эквивалентной схемы для индуктивности, т.е., паразитные C и R.
2. Рисуете в доступном симуляторе (aka PSPICE) всю схему, с учетом схемы_замещения_индуктивности и, при необходимости, схемы_замещения остальных активных и/или пассивных элементов..
3. Задаете целевую функцию, напр. неравномерность коэффициента усиления в полосе пропускания.
4. Далее, синтез искомой схемы с использованием поиска минимума целевой функции.
PS. Лет 15 назад попадалась статья в сборнике ИКИ, где подобным способом спроектировали широкополосный (0,1 ГГц .. 2,0 ГГц) усилитель на биполярных транзисторах с неравномерностью в десятые доли дБ.
1. Решение УЖЕ плоховатое, поскоку требует ручного расчёта неких не заданных в доке параметров, которые к тому же немножко виртуальные (вы ведь не думаете, катушка действительно представляет собой L, C, и R?). На самом деле катушка сложнее, нужны s-параметры.
2. Даже если найти s-параметры каждой детали и начать моделировать, так это просто несвоевременно. Вы ведь не будете моделировать 10ГГЦ-схему на КТ315? Сначала вы выясните границы применимости деталей, выберете примерно соответствующие вашей задаче, и только потом начнёте моделировать. Именно на этой стадии я и нахожусь. Пытаюсь понять, как соотносить SRF с рабочей частотой.
3. Непонятно, зачем нужен усилитель с неравномерностью десятые доли дБ :-))))) Ребята видимо были далеки от цифровой связи.. :-))