Эмуляция EEPROM в первых двух секторах STM32F4, Старт программы с предопределённого адреса Опции

[AlexUT4]

Всем добрый день.
Для камня STM32F407 взял эмулятор EEPROM с сайта st. Вложил в свой проект с оригинальными настройками как в примере. Всё вроде как работает нормально. Но там EEPROM эмулируется во втором и третьем секторах FLASH памяти (которые по 16к). Я в своём проекте перенёс эмуляцию EEPROM в первые два сектора и соответственно сдвинул таблицу векторов прерывания на второй сектор:

Код

define symbol __ICFEDIT_intvec_start__ = 0x08008000; (в stm32f4xx_flash.icf)
#define VECT_TAB_OFFSET  0x8000 (в system_stm32f4xx.c)

Необходимые изменения внёс в eeprom.h.

В своём проекте в начале вставил пример записи трёх переменных в память. Всё как бы работает, НО только с отладчиком из IAR контроллер стартует как надо. Если сделать сброс кнопкой, то уже не стартует.
Я пока перенёс эмуляцию EEPROM в последние два сектора, но они по 128к и откусывать пол флеша как-то не охота. В такой конфигурации всё работает как надо.

Чувствую, что надо указать в прерывании сброса откуда стартовать программе. Помогите разобраться с проблемкой.
Спасибо.

[Rash]

Большое спасибо за наводку....

сделал по такому примеру, всё работает, но есть следующий вопрос:
При такой записи регион с дырой получается, но есть одно НО, вектора прерываний разместятся с адреса 0x08000000, а код весь будет размещён после выделенных регионом под EEPROM. Т.е. такой записи (где используются сектора 1 и 2) код разместится с адреса 0x0800c000, а если назначить для эмуляции EEPROM сектора 2 и 3, то код разместится уже по адресу 0x08010000. Т.о. получается, если делать дыру во флеши для EEPROM надо использовать всегда сектора начиная с 1-го иначе будет потеря секторов флеши. И также 0 сектор тоже практически будет потерян по памяти, т.к. в нём кроме таблицы прерываний ничего не размещается (т.е. для эмуляции EEPROM будут потеряны 3 сектора, 2 сектора на EEPROM, а один будет гулять практически пустым). Можно ли это как то обойти, может ещё нужно в линкере чего-то прописывать? Прибивать ф-ции или массивы констант по конкретным адресам желания нет.
В данном проект памяти хватает и потеря 3-х секторов по 16К не критична, но на будущее хочется уметь использовать всю память

Сообщение отредактировал IgorKossak - Oct 7 2014, 14:11

Причина редактирования: избыточное цитирование

[Сергей Борщ]

И также 0 сектор тоже практически будет потерян по памяти, т.к. в нём кроме таблицы прерываний ничего не размещается

Мне сейчас неохота рыть документацию, но у F1xx при включении защиты от чтения первые два сектора автоматически защищаются и от записи. И переписать их можно только стерев весь кристалл. Здесь нет чего-то подобного? Как бы не получилось, что включив защиту от чтения вы поломаете работу этой эмулированной ЭСППЗУ. А в целом я бы отдал нулевой сектор загрузчику и забыл про него, а программу размещал бы целым куском уже после секторов эмуляции ЭСППЗУ.

[adnega]

А в целом я бы отдал нулевой сектор загрузчику и забыл про него, а программу размещал бы целым куском уже после секторов эмуляции ЭСППЗУ.

+1. Собственно, с такой картой распределения секторов ничего лучше и не придумаешь.

Код

MEMORY
{
  RAM (xrw)  : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 128K
  CCMRAM (xrw) : ORIGIN = 0x10000000, LENGTH = 64K
  BKPSRAM(rw!x): ORIGIN = 0x40024000, LENGTH = 4K
  
  BOOTLOADER (rx) : ORIGIN = 0x08000000, LENGTH = 16K
  EEPROM (rw!x) : ORIGIN = 0x08004000, LENGTH = 16K + 16K
  IMAGE (rw!x) : ORIGIN = 0x0800C000, LENGTH = 16K + 64K
  FLASH (rwx) : ORIGIN = 0x08020000, LENGTH = 128K
}