DDR3. Настройка (+) Опции

[ovs_pavel]

Коллеги, настраиваю связку P4080 + DDR3. Топология "fly-by".

Линии DQ, DQS, DM - между ЦП и DDR3 - резисторы 15 Ом (согласование).

Линии Add, RAS, CAS, WE, ODT, BAdd - согласование в конце линий - 49 Ом.
Линия CK - согласование аналогично два резистора 49 Ом + конденсатор.

Все длины согласованны в соответствие с рекомендациями.

ЦП выдает ошибку автоматической калибровки памяти.

Есть ли у кого примеры загрузки значений в 4 рабочих регистра памяти (MR[3:0]), чтобы сравнить со своими значениями? Может в них не так что прописываю?

[ovs_pavel]

Последовательность команд на память после сброса следующая:

LMR2 -> LMR3 -> LMR1 -> LMR0 -> ZQCL -> NOP -> REF -> ACT -> READ -> ACT -> WRITE -> READ.

Используемая память - MT41K512M8RH-125IT:E (но работает в режиме 1,5 В, что допускается стандартом).

Из 8-ми м/сх (я уже повторяюсь) отвечает только первая в цепочке, т.е. реагирует на последние команды - READ -> ACT -> WRITE -> READ.

На остальных линиях DQ и DQS - тишина. Такое впечатление, что совсем не воспринимаются команды идущие с ЦП.

AN4189,3940 выполняется?
AN4039 читали?

AN4039 как раз и используем, а вот второй документ AN4189 что то на вскидку не помню.

[vitan]

Используемая память - MT41K512M8RH-125IT:E (но работает в режиме 1,5 В, что допускается стандартом).

А там не надо никаких телодвижений делать в этом случае? У нас был случай наоборот, и там что-то такое было (вроде бы, не помню уже)?

На остальных линиях DQ и DQS - тишина.

В смысле? Совсем? Т.е. даже от проца ничего не исходит?