Использование слабых транзисторов в логике SC, На технологиях суб 100нм Опции

[Shivers]

Всем привет!
Вопрос по разработке SC.
Есть схема нужного мне триггера (С-элемента) с использованием слабых транзисторов. К примеру, пока входные pmos закрыты, потенциал выхода утягивает вниз слабый nmos (скажем, с тройной длинной канала и минимальной ширины). Если хоть один pmos открывается, потенциал уходит вверх. Недостатки этой схемы понятны - сквозной ток, и заваленный фронт. Вопрос в другом. Насколько допустима такая схема на 65нм, и, скажем, 28нм?

Триггер будет использоваться в качестве базового, т.е. фактически как standard cell -повсеместно в дизайне.

[Shivers]

KMC
Спасибо! Буду думать.

SM
У меня нет 28нм. Но слухи ходят всякие разные - и об ужесточении рулов, и о фиксированных затворах, которые уже нельзя изогнуть буквой зю. Да и мало ли чего -вот и спрашиваю, вдруг, к примеру, на 28нм нельзя слабые транзисторы делать.
Т.е. Вы попали в точку - не хочется делать элемент, который потом не удастся отмасштабировать. А так, моделирование, топология и характеризация на 65нм - все делаю, получается, работает.

[sleep]

SM
У меня нет 28нм. Но слухи ходят всякие разные - и об ужесточении рулов, и о фиксированных затворах, которые уже нельзя изогнуть буквой зю. Да и мало ли чего -вот и спрашиваю, вдруг, к примеру, на 28нм нельзя слабые транзисторы делать.
Т.е. Вы попали в точку - не хочется делать элемент, который потом не удастся отмасштабировать. А так, моделирование, топология и характеризация на 65нм - все делаю, получается, работает.

Начиная с 40 нм, действительно, есть особенности по требованиям по ориентации поликремния.
В 28 нм, например, он в должен быть расположен регулярно и в одном направлении в чипе.

[Shivers]

Начиная с 40 нм, действительно, есть особенности по требованиям по ориентации поликремния.
В 28 нм, например, он в должен быть расположен регулярно и в одном направлении в чипе.

А можно уточнить по 28нм:
1. в чем заключается регулярность: шаг затворов везде одинаковый по всей площади кристалла?
2. что с длинной затворов - их можно делать разной длинны, или они тоже все одинаковые? А что с шириной, можно менять?
3. что с контактами, их можно в любую точку затвора или поликремния помещать (с учетом DRC), или тоже есть сетка/ другие ограничения?

И что то я еще слышал, что на 28нм в основном FinFet используется (с которым я пока дело не имел, и чем чреват переход на это, даже не представляю) - так ли это?