Цитата(Atridies @ Jun 29 2015, 03:49)

Есть задача: коммутирование постоянного тока порядка 20 А (27В) с управлением мощностью в нагрузке (ШИМ). Максимальное напряжение питания может быть 80В. Кроме того, надо обеспечить защиту от переполюсовки. Решил сделать это MOSFET-ами. Защиту от переполюсовки - схема идеального диода. Но P-канальный диод, который используется в схеме идеального диода имеет слишком большое сопротивление канала: 90 мОм.
Есть Р-FETы с сопротивлением 1.6 миллиом:
http://www.digikey.com/product-search/en?p...amp;pageSize=25Цитата(Atridies @ Jun 29 2015, 03:49)

Выделяемая мощность получается слишком большой (36 Вт). Аналогичные N-канальные транзисторы имеют сопротивление - 10 мОм.
Там же есть даже 0.5 миллиом.
Цитата(Atridies @ Jun 29 2015, 03:49)

Ток в схеме коммутируется землю? Не указано желаемое подкдючение нагрузки. Почитайте ДШ на идеальные диоды от Linear technology, например.