Посоветуйте step-up DC-DC контроллер, синхронный, низковольтный, выход не менее 3 А Опции

[QUO-rtl]

Пожелания такие:

1) вход от 3 В, верхняя граница несущественна, 7-8 В подойдет

2) синхронный, выход не менее 3А, если таких монолитных не существует, то с внешними полевиками.

3) с высокой рабочей частотой, 500 кГц и выше

4) С минимумом внешних компонентов. Т. к. он для любительского применения, за это готов переплатить - традиционно дорогие американские фирмы подойдут и приветствуются

5) Желателен корпус попроще, который бы паялся хотя бы феном. Никаких BGA.


Я отталкивался от LM3478, но он не синхронный, и вообще совсем не современный.

[QUO-rtl]

Plain, задача немного изменилась. На входе не будет больше 6В ни при каких условиях. На выходе тоже нужно ровно 6В. как только появится нагрузка, напряжение батареи провалится ниже 6В и стабилизатор заработает как повышающий.
Так можно использовать этот контроллер?

Ну вытащить logic level p-MOSFET можно не только с материнской платы. Просто когда пара транзисторов стОит как 3 контроллера, это выглядит несколько дико. Особенно n-канальный за 200 р.

> Ну и, непонятно же Ваше игнорирование вышепредложенного инвертирующего преобразователя, который давно решил бы
> все Ваши проблемы, т.е. с КЗ и на 100% наковырянных NMOS.
Стыдно признаться, но у меня недостаточно знаний, чтобы нарисовать схему с номиналами деталей. Например на ST1S10PHR, которых у меня теперь куча. Какой дроссель? на какой ток? В датащите нет подходящего примера. Сильно ногами не пинайте.

Сообщение отредактировал QUO-rtl - Jul 13 2015, 15:03

[Plain]

у меня недостаточно знаний

Например, всё тот же инвертирующий на NCP3020A — по формуле №7 паспорта индуктивность должна быть не менее, чем (50% · 6 В / (20 А · 0,2 · 300000 Гц)) = 2,5 мкГн, т.е. годятся два-три последовательно типовых из материнки. Далее, в формулу №1 подставляется падение напряжения на канале выковыренного из материнки NMOS при токе через него 30 А. Ну и так далее. Единственный недостаток у данного контроллера, что нет входа разрешения, но это легко реализуется ключом на NPN/PNP.

Для ST1S10 расчёт точно такой же: (50% · 6 В / (3 А · 0,2 · 900000 Гц)) = 5,6 мкГн. Соединить их параллельно, разумеется, можно, но скорее как временное решение, потому что каждая такая схема в инвертирующем включении будет давать 1,5 А, плюс неопределённые биения тактовых частот.

Но повторю, выжать 10 А из NiMH в типовом батарейном отсеке не получится, он попросту поплывёт от раскалённых контактов. Внутреннее же сопротивление щелочных элементов и вовсе не позволит создать такого порядка токи.